| 发明名称 | 非易失性存储器装置及其编程与读取方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器装置，其包括：第一存储器块，其包括提供在第一漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元；以及第二存储器块，其包括提供在第二漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。所述第一和第二存储器块共享相同的源极选择晶体管，所述源极选择晶体管通过源极选择线被提供电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1825483A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200610004967.2 | 申请日期 | 2006.01.12 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朱锡镇 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01);G11C16/06(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C11/40(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邵亚丽;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器装置，其包含：第一存储器块，其包括提供在第一漏极选择晶体管和源极选择晶体管之间的多个存储器单元；和第二存储器块，其包括提供在第二漏极选择晶体管和源极选择晶体管之间的多个存储器单元，其中所述第一和第二存储器块共享相同的源极选择晶体管，所述源极选择晶体管通过源极选择线被提供电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||