| 发明名称 | 使用自组装单层的硅结晶法 | ||
| 摘要 | 包括衬底的显示器件，在所述衬底上设置有晶体或多晶半导体材料层，其中所述衬底具有低于所述层的形成温度的应变点。所述晶体或多晶材料是通过以下方法构建，所述方法包括在衬底上提供自组装单层(SAM)、在SAM上沉积材料层和使所述层基本结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1826683A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200480020712.4 | 申请日期 | 2004.06.22 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | J·G·库亚德;R·R·小汉考克;M·A·刘易斯 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上构建单晶或多晶材料的方法，包括：在所述衬底上沉积自组装单层(SAM)；在SAM上沉积层；和使所述层基本结晶。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||