半导体元件之制造方法

摘要

一种半导体元件之制造方法，其利用超临界流体，如二氧化碳(CO₂)，来清洁形成于含硅介电材料层中之开口，并移除用以制造开口之蚀刻工艺中所产生之有机聚合残余物。上述之开口可为接触窗开口、介层窗开口或其它开口，且开口之剖面面积可小于0.2平方微米或0.1平方微米。于利用超临界流体进行清洁后，利用原子层化学气相沉积工艺来形成薄阻障层于开口中。形成导电材料层于阻障层上，用以提供超大规模集成电路(VLSI)元件具增进之接触电阻的接触结构。

主权项

1.一种半导体元件之制造方法，其特征是至少包括：形成开口，至少延伸至含硅介电层中；利用超临界相物质清洁该开口；利用原子层化学气相沉积工艺沉积阻障材料层于该开口中；以及形成导电层于该阻障材料层上。