光电动势元件

摘要

本发明涉及一种光电动势元件。在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。

主权项

1.一种光电动势元件，其特征在于，具备：一个导电型的晶体系半导体；实质上本征的第一非晶系半导体膜；具有与所述晶体系半导体相同或相反的导电型的第二非晶系半导体膜；和透光性的第一电极层，所述第一非晶系半导体膜、所述第二非晶系半导体膜、和所述第一电极层顺次设置在所述晶体系半导体的第一面上，所述第二非晶系半导体膜形成在所述晶体系半导体或第一非晶系半导体膜上的除规定宽度的外周部之外的第一区域，所述第一电极层形成为覆盖从所述第二非晶系半导体膜上到所述晶体系半导体或所述第一非晶系半导体膜上的所述外周部的区域。