细微图案形成方法

摘要

本发明提供采用光刻工序形成细微间隔图案的细微图案形成方法。包括下步骤：含导电膜的半导体基板上，依次涂布i-线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层；在基板上用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，在正型ArF抗蚀剂层内进行甲硅烷化反应，生成醇基(OH)或羧基(COOH)；除去掩膜；在产物上显像，形成第1抗蚀剂层图案；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序；在其后的基板上用HMDS进行甲硅烷化反应，通过醇基(OH)或羧基(COOH)和HMDS反应，在第1抗蚀剂层图案表面上形成硅氧化膜；将含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作掩蔽膜，在上述i-线用抗蚀剂层上进行干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案；将第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线。

主权项

1.一种在半导体器件中形成细微图案的方法，包括以下步骤：在含导电膜的半导体基板上，随后涂布i-线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层；在上述得到的基板上，利用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，以在其中可进行甲硅烷化反应的所述正型ArF抗蚀剂层内生成醇基(OH)或羧酸(COOH)；除去掩膜；在上述得到的结构上实施显像，形成第1抗蚀剂层图案；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序；对第2烘烤工序完成后的基板，用甲硅烷化剂进行甲硅烷化工序，通过醇基(OH)或羧酸(COOH)和该甲硅烷化剂反应，在第1抗蚀剂层图案的表面上，形成硅氧化膜，其中用于该甲硅烷化工序的甲硅烷化剂为选自六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基氨基二甲基硅烷)、双(二甲基氨基甲基硅烷)、二甲基甲硅烷基二甲胺、二甲基甲硅烷基二乙胺、三甲基甲硅烷基二甲胺、三甲基甲硅烷基二乙胺以及二甲基氨基五甲基乙硅烷中的任何一种化合物；把含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述i-线用抗蚀剂层实施干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案；把含有硅氧化膜的第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线。