发明名称 形成含硅薄膜的方法
摘要 描述了一种在基片表面形成含硅薄膜的方法。在该方法中,将环戊硅烷溶液填入一个槽中,使该槽的内壁表面和环戊硅烷溶液相互接触。随后,从点式UV辐射器辐照光,使光通过槽壁辐照在内壁表面一个区域附近的环戊硅烷溶液上,从而在该区域形成含硅薄膜。因此,通过减少步骤,无需通过热处理来形成含硅薄膜。
申请公布号 CN1824605A 申请公布日期 2006.08.30
申请号 CN200610054925.X 申请日期 2006.02.20
申请人 索尼株式会社 发明人 贝野由利子;亀井隆広
分类号 C01B33/02(2006.01);C01B33/04(2006.01) 主分类号 C01B33/02(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 李玲
主权项 1.一种在基片表面形成含硅薄膜的方法,该方法包括:在包含含硅化合物的溶液和所述基片相互接触的条件下,光辐照该包含含硅化合物的溶液,所述含硅化合物的主链由硅组成,在所述基片和所述溶液之间的接触表面的光辐照区域形成含硅薄膜。
地址 日本东京