发明名称 | 形成含硅薄膜的方法 | ||
摘要 | 描述了一种在基片表面形成含硅薄膜的方法。在该方法中,将环戊硅烷溶液填入一个槽中,使该槽的内壁表面和环戊硅烷溶液相互接触。随后,从点式UV辐射器辐照光,使光通过槽壁辐照在内壁表面一个区域附近的环戊硅烷溶液上,从而在该区域形成含硅薄膜。因此,通过减少步骤,无需通过热处理来形成含硅薄膜。 | ||
申请公布号 | CN1824605A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
申请号 | CN200610054925.X | 申请日期 | 2006.02.20 |
申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 贝野由利子;亀井隆広 |
分类号 | C01B33/02(2006.01);C01B33/04(2006.01) | 主分类号 | C01B33/02(2006.01) |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
主权项 | 1.一种在基片表面形成含硅薄膜的方法,该方法包括:在包含含硅化合物的溶液和所述基片相互接触的条件下,光辐照该包含含硅化合物的溶液,所述含硅化合物的主链由硅组成,在所述基片和所述溶液之间的接触表面的光辐照区域形成含硅薄膜。 | ||
地址 | 日本东京 |