发明名称 |
氧化物单晶的制造装置及制造方法 |
摘要 |
一种低成本、高纯度的单晶制造装置及其制造方法,将培育槽17的拉晶轴21与设在盖体19上的管状开口部24之间的间隙设定为1mm~3mm。该间隙与炉外的大气相通。通过调整向炉内供给的惰性气体流量,以确保炉内的氧浓度处于0.1%~1.2%范围。这样,既可防止氧化物单晶的缺氧,又可防止坩埚氧化变色,防止氧化杂质混入结晶中。 |
申请公布号 |
CN1272475C |
申请公布日期 |
2006.08.30 |
申请号 |
CN01104783.6 |
申请日期 |
2001.02.23 |
申请人 |
东芝株式会社 |
发明人 |
山下洋二 |
分类号 |
C30B27/02(2006.01);C30B15/10(2006.01);C30B29/30(2006.01) |
主分类号 |
C30B27/02(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
刘立平 |
主权项 |
1.一种氧化物单晶制造装置,其特征在于,所述装置包括:放置并熔融氧化物单晶原料的坩埚,从熔融在所述坩埚内的所述原料中提取结晶的拉晶轴,放有所述坩埚并具有插通所述拉晶轴的开口部的培育槽,向所述拉晶炉内部导入惰性气体用的导入管,以及调节所述惰性气体流量的流量控制器,所述培育槽具有放置所述坩埚及其周围的耐火物用的筒体和盖住所述筒体上端的盖体;插通所述拉晶轴的开口部呈管状,以使所述盖体在所述拉晶轴的周围形成宽度1mm以上、3mm以下的与大气接触的间隙。 |
地址 |
日本神奈川县 |