发明名称 Semiconductor device
摘要 A logic circuit in a system LSI is provided with a power switch so as to cut off the switch at the time of standby, reducing leakage current. At the same time, an SRAM circuit of the system LSI controls a substrate bias to reduce leakage current.
申请公布号 US7099183(B2) 申请公布日期 2006.08.29
申请号 US20050152110 申请日期 2005.06.15
申请人 发明人
分类号 G11C11/00;G11C11/41;G11C5/14;G11C11/34;G11C11/413;G11C11/417;G11C11/418;H01L29/94 主分类号 G11C11/00
代理机构 代理人
主权项
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