| 发明名称 |
ELEMENT DE MEMOIRE MAGNETORESISTIVE PRESENTANT UNE STRUCTURE EMPILEE. |
| 摘要 |
<p>Mémoire magnétorésistive comportant un premier système magnétique (R), un second système magnétique incluant une couche libre de jonction à effet tunnel ferromagnétique (FL1) dans lequel le premier système magnétique (R) est pris en sandwich entre la couche libre de jonction à effet tunnel (FL1) et au moins une des couches libres ferromagnétiques (FL1, FL2) du second système magnétique.</p> |
| 申请公布号 |
FR2882459(A1) |
申请公布日期 |
2006.08.25 |
| 申请号 |
FR20060000574 |
申请日期 |
2006.01.23 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;ALTIS SEMICONDUCTOR SNC |
发明人 |
KLOSTERMANN ULRICH;BRAUN DANIEL |
| 分类号 |
G11C11/15;H01L21/8246;H01L43/08 |
主分类号 |
G11C11/15 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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