| 摘要 |
Ein Apparat und ein Verfahren zur Untersuchung von Metallüberresten wird offen gelegt, bei der Metallüberreste und die Dicke der Überreste in wirksamer Weise nach Ausführen einer chemisch mechanischen Politur (CMP) untersucht werden. Der Apparat zur Untersuchung von Metallüberresten beinhaltet einen Lichtemitter, der Licht einer bestimmten Wellenlänge auf die Oberfläche eines Halbleitersubstrats emittiert, einem Lichtdetektor, der von der Oberfläche reflektiertes Licht empfängt, und einer Ausgabeeinheit, die konfiguriert ist, ein Signal zu erzeugen, das mit einer oder mehreren Wellenlängen des besagten reflektierten Lichts korrespondiert. So ist es möglich, anhand der Wellenlänge oder der Wellenlängen des reflektierten Lichts zu entscheiden, ob und in welcher Dicke Metallüberreste vorhanden sind.
|
