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Ein integrierter Halbleiterspeicher umfasst eine Testmode-Steuerschaltung (30) sowie mindestens einen Spannungsgenerator (60a) zur Erzeugung einer Betriebsspannung (VWH), die über Leiterbahnen (L1, L2, L3, L4) in Speicherbänke (B1, B2, B3, B4) eingespeist wird. An Orten entlang der jeweiligen Leiterbahnen, vorzugsweise aber am Ende einer jeden Leiterbahn, sind Vergleicherschaltungen (80a, 80b, 80c, 80d) angeordnet. Diese vergleichen einen Spannungspegel auf den Leiterbahnen mit einem Pegel einer Referenzspannung (Vref80). In Abhängigkeit von dem Pegelvergleich erzeugt die Testmode-Steuerschaltung (30) an Kontaktpads (DQ1, DQ2, DQ3, DQ4) Auswertesignale (AWS1, AWS2, AWS3, AWS4). Die Referenzspannung (Vref80) wird über ein Monitorpad (MP) eingespeist. Durch die im Allgemeinen großflächig ausgebildeten Kontaktpads lassen sich die Auswertesignale leicht von einem Tester abgreifen.
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