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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer Halbleiterbauelementegruppe (3), insbesondere einer SiC-Halbleiterbauelementegruppe (3). DOLLAR A Die vorliegende Erfindung zeichnet sich durch DOLLAR A - Erzeugen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1,5) auf einem Substrat, insbesondere auf einem Wafer (7), DOLLAR A - Testen der einzelnen Halbleiterbauelemente (1, 5) zur Erfassung funktionsfähiger Halbleiterbauelemente (1), DOLLAR A - Zusammenstellen mindestens einer aus einer Mehrzahl von funktionsfähigen Halbleiterbauelementen (1) bestehenden Halbleiterbauelementegruppe (3), die eine zusammenhängende Flächenstruktur ausbildet, DOLLAR A - elektrisches Parallelschalten der funktionsfähigen Halbleiterbauelemente (1) der Halbleiterbauelementegruppe (3), aus.
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