| 发明名称 | 集成有调制器的半导体激光器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种集成有调制器的半导体激光器件。在该集成有调制器的半导体激光器件中，在衬底上形成下DBR(分布式布拉格反射器)层，有源层形成于下DBR层上并包括交替的多个势垒层和多个量子阱层，外镜与有源层的顶部隔开，从而通过透射输出从所述有源层发射的光的一部分并将剩余部分反射到所述有源层。接触所述多个量子阱层中至少一个的两侧的所述多个势垒层中的两个以不同的类型掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN1822457A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610005187.X | 申请日期 | 2006.01.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金泽 |
| 分类号 | H01S5/10(2006.01);H01S5/32(2006.01);H01S5/34(2006.01);H01S5/026(2006.01);H01S5/04(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的下分布式布拉格反射器层；形成于所述下分布式布拉格反射器层上并包括交替的多个势垒层和多个量子阱层的有源层；以及外镜，该外镜与所述有源层的顶部隔开从而透射从所述有源层发射的光的一部分并将剩余部分反射到所述有源层，其中，接触所述多个量子阱层中至少一个的两侧的所述多个势垒层中的两个以不同的类型掺杂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||