| 发明名称 | 具有硅－锗层的半导体晶片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体晶片，其包括单晶硅层和与该单晶硅层相邻的厚度为d且组成为Si<SUB>1－x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>的渐变硅－锗层，其中x代表锗的比例，x满足0＜x≤1，此处x的取值随着与所述单晶硅层间距离a的增加而增大，其中在所述渐变硅－锗层表面处的锗的比例x(d)与在所述单晶硅层与所述渐变硅－锗层之间间距的处的锗的比例x(d/2)的关系是：x(d/2)＞0.5·x(d)。本发明还涉及对所述半导体晶片的进一步处理，其中将所述半导体晶片的层转移至基底晶片，以及由此制得的半导体晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1822386A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610051360.X | 申请日期 | 2006.01.05 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 迪尔克·丹兹;安德烈亚斯·胡贝尔;赖因霍尔德·沃利希 |
| 分类号 | H01L29/161(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L29/161(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1、一种半导体晶片，其包括单晶硅层和与该单晶硅层相邻的厚度为d且组成为Si1-xGex的渐变硅-锗层，其中x代表锗的比例，x满足0＜x≤1，此处x的取值随着与所述单晶硅层间距离a的增加而增大，其中在所述渐变硅-锗层表面处的锗的比例x(d)与在所述单晶硅层和所述渐变硅-锗层表面之间间距的中央处的锗的比例x(d/2)的关系是x(d/2)＞0.5·x(d)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||