表面为隧道结结构的单芯片白光发光二极管

摘要

本发明属于半导体光电子技术领域。现有二极管或封装难度大且成本高，或工艺复杂，成品率低。本发明结构：p电极加厚电极(1)、p电极欧姆接触层(2)、p型层(6)、有源区一(301)、n型层(7)、缓冲层(8)、衬底(9)、n电极(10)和n电极加厚电极(11)；其特征在于：在p电极欧姆接触层(2)与p型层(6)间夹一反向隧道结(5)；在反向隧道结(5)上是直接外延生长的有源区二(302)，两有源区材料组分满足有源区二(302)发出的光与有源区一(301)发出的光以色度学配色原理所要求比例混合最终发出白光。本发明可适当调整结构以增加器件的发光性能。本发明提供了工艺简单、成品率高、发光效率提高而成本降低的白光发光二极管。

主权项

1、表面为隧道结结构的单芯片白光发光二极管，其结构从上至下包括：p电极加厚电极(1)、p电极欧姆接触层(2)、p型层(6)、有源区一(301)、n型层(7)、缓冲层(8)、衬底(9)、n电极(10)和n电极加厚电极(11)；其特征在于：在p电极欧姆接触层(2)与p型层(6)之间夹有一对反向隧道结(5)；在反向隧道结(5)上面是直接外延生长的有源区二(302)，两个有源区(301)，(302)的材料组分满足有源区二(302)发出的光与有源区一(301)发出的光以色度学的配色原理所要求的比例混合最终发射出白光。