发明名称 半导体激光近、远场分布观测装置
摘要 半导体激光近、远场分布观测装置属于半导体激光器器件测试技术领域。现有技术是将激光近、远场分布光斑转换为电信号后进行测试,缺乏直观性;另外,在远场分布测试上缺乏确定的方案,在列阵芯片测试方面手段欠便捷,效率低。本发明采用光学透镜系统和变像管这两个主要观测部件,并可构成两种工作状态,从而可以通过肉眼直接观测,包括单芯、阵列芯片的近、远场分布。本发明可应用半导体物理的教学和科研领域,还可以应用于半导体激光器器件的生产领域。
申请公布号 CN1821798A 申请公布日期 2006.08.23
申请号 CN200610007505.6 申请日期 2006.02.13
申请人 长春理工大学 发明人 王晓华;王勇;赵英杰;姜晓光;刘波
分类号 G01R31/26(2006.01);G01N21/84(2006.01);H01L33/00(2006.01) 主分类号 G01R31/26(2006.01)
代理机构 中国兵器工业集团公司专利中心 代理人 曲博
主权项 1、一种半导体激光近、远场分布观测装置,其特征在于:①在底座(1)的中部安置有支柱(2),载物台(3)固定在支柱(2)的上部,待测芯片(4)搁置在载物台(3)上;②在底座(1)的一侧固定有支杆(5),光学投影系统(6)由摆臂(7)连接在支杆(5)上,由连杆(8)将变像管(9)保持在芯片(4)的上方,连杆(8)的另一端连接在支杆(5)上;③当观测近场分布时,光学投影系统(6)保持在芯片(4)的上方,变像管(9)保持在光学投影系统(6)的上方;④当观测远场分布时,摆臂(7)绕支杆(5)摆动,将光学投影系统(6)从芯片(4)上方移开,连杆(8)沿支杆(5)下移,使变像管(9)接近芯片(4)。
地址 130022吉林省长春市朝阳区卫星路7089号