| 发明名称 | 生长碳纳米管的方法以及制造场发射装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。 | ||
| 申请公布号 | CN1821067A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610009255.X | 申请日期 | 2006.02.15 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 朴永俊;金夏辰 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01);G09G3/20(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | C01B31/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成CNT的方法，包括：准备其上形成有硅层的基板；在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层；通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分地形成金属硅化物畴；以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||