发明名称 | 532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅 | ||
摘要 | 一种532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅,该光栅的周期为395-412纳米、刻蚀深度为1.580-1.630微米,光栅的占空比为1/2。其TE偏振光和TM偏振光分别在0级和1级透射,该偏振分束光栅的消光比大于100,TE偏振光的0级透射衍射效率和TM偏振光的1级透射衍射效率分别高于95.42%和96.10%,特别是光栅周期为404纳米,刻蚀深度为1.605微米时,消光比达到1.01×10<SUP>4</SUP>,TE偏振光0级透射衍射效率为97.13%,TM偏振光1级透射衍射效率为97.77%;本发明制作偏振分束器,具有很高的消光比和透射效率,不必镀金属膜或介质膜,利用全息光栅记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺,可以大批量、低成本地生产,刻蚀后的光栅性能稳定、可靠,是偏振分束器的一种重要的实现技术。 | ||
申请公布号 | CN1821817A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
申请号 | CN200610024950.3 | 申请日期 | 2006.03.22 |
申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 周常河;王博 |
分类号 | G02B5/18(2006.01) | 主分类号 | G02B5/18(2006.01) |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
主权项 | 1、一种532纳米波长的高密度深刻蚀石英透射偏振分束光栅,其特征在于该光栅的周期为395-412纳米、刻蚀深度为1.580-1.630微米,光栅的占空比为1/2。 | ||
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