多孔SOG膜的制备方法

摘要

一种制备多孔SOG膜的方法，包括：制备含有有机硅烷、水和醇的有机硅烷溶液，使所说的有机硅烷酸解或碱解，然后将得到的反应体系在表面活性剂的存在下热处理以形成可用于夹层绝缘膜的多孔SiO₂膜。也可以用下述方法制备多孔SOG膜：重复上述步骤至少一次；或者用CVD或溅射法在由上述步骤制备的多孔SiO₂膜上形成疏水性膜，以此覆盖住多孔膜的表面；或者将多孔膜形成步骤和覆盖步骤重复至少一次。另外，制备出上述多孔SiO₂膜后，将其进行下述处理中的一种处理：用氧等离子体处理、电子束照射处理和紫外线照射处理，以除去残留在多孔膜中未反应的OH基团，从而形成多孔SOG膜。另外，上述热处理分下述两步进行：第一步，在能够通过蒸发主要将水和醇除掉的温度下处理多孔膜；第二步，在足以用表面活性剂分子的疏水性部分将孔的至少内壁覆盖住的温度(350-450℃)下处理多孔SiO₂膜。

主权项

1、一种多孔SOG膜的制备方法，其包括的步骤是：制备含有有机硅烷、水和醇的溶液，使所说的有机硅烷酸解或碱解，然后将得到的反应体系在表面活性剂的存在下热处理以形成多孔SiO2膜，其中所说的热处理包括第一步热处理和第二步热处理，第一步热处理是在足以主要将反应体系中存在的所说的水和醇蒸发掉的温度下进行的，第二步热处理是在足以用表面活性剂分子的疏水性部分将得到的多孔SiO2膜中存在的孔的至少内壁覆盖住的温度下进行的，所说的第二步用的温度高于所说的第一步用的温度。