| 发明名称 | 具有深槽电荷补偿区的半导体器件及方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施方案中，一半导体器件形成在半导体材料体中。该半导体器件包括一电荷补偿槽，该电荷补偿槽形成在邻近该器件的有源部分。电荷补偿槽包括一个槽，该槽被填以相反导电类型的层的各种半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1822389A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200510022820.1 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 加里·H·莱厄切尔特;彼得·J·兹德贝尔;戈登·M·格里芙娜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：一半导体材料体；以及一电荷补偿区，包括一个在该半导体材料体中形成的槽，其中该槽被填以相反导电类型的半导体层。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||