化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法

摘要

本发明提供了一种对半导体晶片上的氧化硅和氮化硅进行抛光的方法，包括以下步骤，用第一含水组合物对氧化硅平化，该含水组合物包含0.01－5重量％的羧酸聚合物，0.02－6重量％的磨料，0.01－10重量％的聚乙烯基吡咯烷酮，0－5重量％的阳离子性化合物，0－1重量％的邻苯二甲酸和盐，0－5重量％的两性离子化合物，余量为水，其中该聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量为100－1000000克/摩尔。该方法进一步包括，检测平化终点，并用第二含水组合物清除氧化硅，该含水组合物包含0.001－1重量％的季铵化合物，0.001－1重量％的邻苯二甲酸及其盐，0.01－5重量％的羧酸聚合物，0.01－5重量％的磨料，余量为水。

主权项

1.一种对半导体晶片上的氧化硅和氮化硅进行抛光的方法，包括以下步骤：用第一含水组合物对氧化硅平化，该含水组合物包含0.01-5重量％的羧酸聚合物，0.02-6重量％的磨料，0.01-10重量％的聚乙烯基吡咯烷酮，0-5重量％的阳离子性化合物，0-1重量％的邻苯二甲酸和盐，0-5重量％的两性离子化合物和余量的水，其中该聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量为100-1000000克/摩尔；检测平化的终点；用第二含水组合物清除氧化硅，该含水组合物包含0.001-1重量％的季铵化合物，0.001-1重量％的邻苯二甲酸及其盐，0.01-5重量％的羧酸聚合物，0.01-5重量％的磨料和余量的水。