发明名称 |
半导体基片加工系统以及提高其生产能力的方法 |
摘要 |
一种半导体基片加工系统,所述半导体基片加工系统包括可以布置进反应器中的单基片反应器和多晶片支座。所述系统在运行方面还包括自动基片传送组件(144),所述的自动基片传送组件(144)包括操作杆阵列,用于把相应的多个晶片从反应器传送进和传送出,还包括多晶片盒(100),用于向多个操作杆阵列同时地提供多个晶片。所述的多晶片改装使之易于把现有的单个晶片反应器升级,并且显示出提高反应器的生产能力,同时保留单个晶片反应器系统的膜均匀性和淀积加工控制上的优点。 |
申请公布号 |
CN1270946C |
申请公布日期 |
2006.08.23 |
申请号 |
CN01808784.1 |
申请日期 |
2001.04.18 |
申请人 |
高级技术材料公司 |
发明人 |
迈克尔·J·坦圭 |
分类号 |
B65G1/00(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23F1/02(2006.01) |
主分类号 |
B65G1/00(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
谷惠敏;袁炳泽 |
主权项 |
1.一种半导体基片加工系统,所述半导体基片加工系统包括:反应器,含有单个基片淀积室;和晶片支座,在所述淀积室内可以定位,所述晶片支座是盘形的,并且具有:n个形成于其中的凹陷,n是大于1的整数,用于共面地支托所述n个晶片,并且相邻的晶片的中心至中心距离由支托所述相邻的晶片的凹陷之间中心至中心间隔确定,基片盒,在其中支托n个晶片阵列,其支托的方式为,每个阵列中各出一个晶片所组成的n个晶片由所述的基片盒共面地相互相邻支托,并且其中心至中心间隔等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离;和自动化基片传送组件,所述自动化传送组件含有n个共面的操作杆,其中共面地相互相邻的操作杆具有等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离的中心至中心间隔,其中,所述晶片支座,基片盒,和自动化基片传送组件构成和安排得用于同时共面地从基片盒向晶片支座中的所述n个凹陷中加载n个晶片、在单个基片淀积室中同时处理晶片支座中的所述n个晶片,并且从晶片支座中同时地传送所述n个晶片。 |
地址 |
美国康涅狄格州 |