半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在第一衬底上方选择性地形成剥离层；在剥离层上方形成具有多个薄膜晶体管的层；形成第一开口，使得暴露出薄膜晶体管的一部分半导体膜，并且形成第二开口，使得在剥离层之间暴露出第一衬底；在第一开口和第二开口处形成第一导电膜；处理第一导电膜以在第一开口处形成布线以及在第二开口处形成源或漏电极；形成第三导电膜，使得暴露出剥离层；将蚀刻剂引入到第三开口中并且移除剥离层以将具有多个薄膜晶体管的层与第一衬底分离；以及将具有多个薄膜晶体管的层粘贴到第二衬底上，使得提供在第二衬底上方的布线和第二导电膜相互电连接。