在同一层次处制造金属绝缘体金属电容器和电阻器的方法

摘要

本发明公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属(MIM)层形成的电容器(CAP)。本发明该公开了一种在同一层次内制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，以及一种用于BEOL(后段工艺)薄膜电阻器的新颖集成设计，其使得电阻器更加靠近FEOL(前段工艺)器件。

主权项

1.一种用于在集成多层电路的同一层次中制造MIMCAP和薄膜电阻器的方法，该MIMCAP为由顺序的金属、绝缘体、金属层形成的电容器，该方法包括：沉积氧化绝缘层，然后在氧化绝缘层的顶上沉积金属层从而形成电容器的底电极，然后在金属层的顶上沉积介电层从而形成电容器电介质；光刻构图并蚀刻电容器的电介质和底电极；沉积金属层从而在电容器电介质的顶上形成电容器顶电极，还在与电容器一侧相对的独立结构中形成了薄膜电阻器，并且在电容器顶电极和薄膜电阻器的金属层上方沉积氮化物蚀刻停止帽层；光刻并构图电容器顶电极和薄膜电阻器；在电容器顶电极和薄膜电阻器上方沉积层间电介质ILD层；光刻构图并蚀刻ILD线条层；沉积内衬层和铜层，从而形成一体的铜结构；以及化学机械抛光一体的铜结构，从而形成MIMCAP的最终结构。