| 发明名称 | 基板处理方法、清洗方法、电子设备的制造方法和程序 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种容易控制绝缘膜表面上的表面损伤层和切削残留等的除去量的电子设备的制造方法。形成低介电常数层间绝缘膜(115)，以覆盖形成晶片(W)上的配线(114)的绝缘膜(113)(B)；在该低介电常数层间绝缘膜(115)上加工形成通孔(118)(C)；在低介电常数层间绝缘膜(115)上形成由铜制成的导电膜(121)，同时，将铜填充至通孔(118)中(F)；利用CMP研磨导电膜(121)，露出低介电常数层间绝缘膜(115)(G)；将表面上有切削残留(116)、反应生成物(117)、残渣和疑似SiO<SUB>2</SUB>层(124)的低介电常数层间绝缘膜(115)暴露在氨气和氟化氢气体的混合气体氛围中(H)；再将由疑似SiO<SUB>2</SUB>层(124)改质的生成物层(123)加热至规定的温度(I)。 | ||
| 申请公布号 | CN1822327A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610007478.2 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 西村荣一;岩﨑贤也 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种基板的处理方法，处理具有通过化学机械研磨而露出绝缘膜的基板，其特征在于，具有：在规定压力下，将所述露出的绝缘膜暴露在含有氨和氟化氢的混合气体氛围中的绝缘膜暴露步骤；和将暴露在所述混合气体氛围中的绝缘膜加热至规定温度的绝缘膜加热步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||