半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。

主权项

1.一种发光器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的薄膜晶体管的半导体层；与所述半导体层直接连接的第一电极；覆盖所述第一电极的边缘部分的绝缘体；在所述第一电极上的缓冲层；在所述缓冲层上的含有机化合物的层；以及在所述含有机化合物的层上的第二电极，其中，所述第一电极包括第一区域、具有与该第一区域不同的层叠数量的第二区域，并且，在所述第一区域和第二区域之间形成有台阶部分，并且，所述台阶部分被所述绝缘体覆盖。