| 发明名称 | 用于电路板上的集成电路去藕的中介层 | ||
| 摘要 | 用于对电路板(30)上的微芯片(10)进行去藕的中介层(20)。该中介层(20)在其上表面和下表面上包含结构化的金属层(26a－26d)，用于分别贴装到微芯片(10)和电路板(30)。在该中介层的内部有两组互相绝缘的延伸的金属结构(21，22)，该金属结构的延伸实质上垂直于所述中介层(20)的上表面和下表面。该第一组(21)延伸得比第二组(22)更靠近上表面，而所述第二组(22)延伸得比所述第一组(21)更靠近下表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1822356A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200510132977.X | 申请日期 | 2005.12.29 |
| 申请人 | 阿尔卡特公司 | 发明人 | 汉斯·霍夫曼;维尔纳·韦尔费尔 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L23/58(2006.01);H05K1/18(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 冯谱 |
| 主权项 | 1.一种用于对电路板上的微芯片进行去藕的中介层，所述中介层在其上表面和下表面上包含有结构化的金属层，用于分别贴装到微芯片和电路板，其中所述的中介层内部包括有两组互相绝缘的延伸的金属结构，所述金属结构的延伸实质上垂直于所述中介层的上表面和下表面，其中所述第一组延伸得比所述第二组更靠近上表面，而所述第二组延伸得比第一组更靠近下表面，并且其中所述两组金属结构以一种规则的、非结构化的模式安排在所述的中介层内，相邻金属结构之间的间隔小于微芯片的两个连接的间距，并且所述的金属层以一种应用特殊的方式构成，从而通过将金属结构从第一组连接到顶部金属层并且将相邻金属结构从第二组连接到底部金属层而形成电容器。 | ||
| 地址 | 法国巴黎市 | ||