发明名称 | 1T1C SRAM | ||
摘要 | 描述了存储器电路和方法,其提供与高密度动态存储器(DRAM),如1T1C(1晶体管和1电容器)存储器单元的接口,从而提供了与静态存储器(SRAM)的完全兼容性。所述电路克服了DRAM的、如与恢复和刷新相联系的缺陷,所述缺陷已经阻碍了针对SRAM兼容器件的对DRAM核心的全面利用。所述电路可单独地或更优选地组合地结合本发明的许多方面,包括用于限制最大页面模式周期时间的脉冲化字线结构、带有任选地址缓冲的地址持续期比较功能、以及在写控制信号禁止之后开始写操作的迟写功能。 | ||
申请公布号 | CN1823390A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
申请号 | CN200480020439.5 | 申请日期 | 2004.07.14 |
申请人 | 兹莫斯技术有限公司 | 发明人 | 孙正德 |
分类号 | G11C11/24(2006.01) | 主分类号 | G11C11/24(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦;杨红梅 |
主权项 | 1.一种存储器电路,具有配置用来仿真静态存储器的动态存储器单元,包括:动态存储器单元阵列;内部地址产生电路,配置成接收地址和命令信息并且产生内部地址;解码器电路,用于接收所述内部地址并且控制对所述动态存储器单元的存取;以及装置,当被所述解码器电路触发时用于产生到所述动态存储器的字线输出,并且其在非页面模式下响应于最大周期时间(tRC)或在页面模式下响应于最大页面模式周期时间(tPMRC)而终止。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |