一种制备高导电性聚吡咯材料的方法

摘要

本发明公开了一种利用电化学聚合方法，制备出具有高度有序的纳米阵列的高导电性聚吡咯材料的方法。本发明制备方法简单，工艺简化，整个流程时间短，合成条件在常态下就可以进行，因此成本低廉；还由于采用二次氧化法制备纳米氧化铝材料，生成的聚吡咯直径统一，排列有序，用循环伏安法合成的聚吡咯材料导电性能优秀，并且长度可由循环周次可控，很容易达到生产需要。

主权项

1、一种制备导电性聚吡咯材料的方法，依次由以下步骤组成：(1)合成纳米氧化铝模板(a)将铝片先用70％高氯酸和无水乙醇混合液在0～5℃下抛光5～10分钟，电压为15～22V；混合液中高氯酸和无水乙醇的体积比1∶4；(b)铝片用二次水清洗后在多元酸及其对应的电压下首次氧化1～2小时，以不锈钢板做对电极；然后在60℃下以6％的磷酸和1.8％的铬酸混合洗液清洗铝片半小时，除去氧化膜；(c)铝片用二次水清洗后，用与上述(b)步骤相同的电压进行阳极氧化6小时；然后用氯化物饱和水溶液剥离铝基质，再用5％的磷酸通孔30分钟，得到纳米氧化铝模板，清洗并保存在二次水中；(2)玻碳电极经金相砂纸和氧化铝抛光成镜面，用硝酸和氢氧化钠处理，然后用二次蒸馏水充分洗涤后，将纳米氧化铝模板紧密的装配在玻碳电极上，浸入pH＝3的0.2mol/L吡咯溶液，在0～0.75V电压范围内，以100mv/s的速度扫描200周次，取出，用5％HPO3浸泡，溶去模板后用二次水洗涤后晾干。