| 发明名称 | ZnO:Mo透明导电薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种ZnO:Mo透明导电薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。将纯度为99.99wt％的ZnO和MoO<SUB>3</SUB>粉末按重量比99∶1－95∶5充分混合，压制成型后，在空气中800℃－1300℃下烧结成ZnO:Mo靶材；然后将靶材和清洗过的基片放入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO:Mo透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10<SUP>－4</SUP>Pa，溅射气体为氩气。薄膜具有良好的光电性质，电阻率达到9.2×10<SUP>－4</SUP>Ωcm，可见光透过率达到90％；本发明的方法设备简单便宜、易于大面积成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1822242A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610043274.4 | 申请日期 | 2006.03.27 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 韩圣浩;修显武;庞智勇;吕茂水;叶丽娜;林亮 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01);C23C14/35(2006.01) | 主分类号 | H01B5/14(2006.01) |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人 | 鲍光明 |
| 主权项 | 1.一种ZnO:Mo透明导电薄膜，其特征在于其组成以ZnO为主体材料，钼作为掺杂元素，钼的掺入量为总重量的1-5％。 | ||
| 地址 | 250100山东省济南市历城区山大南路27号 | ||