| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中即使微透镜的轮廓发生变化，图像传感器的特性也不会受到影响，以获得更加可靠的器件。本发明的CMOS图像传感器包括：滤色器层，形成在半导体衬底之上；平坦化层，形成在滤色器层上；以及微透镜，用与平坦化层的材料相同的材料形成在平坦化层上，微透镜被定位为分别对应于滤色器层。 | ||
| 申请公布号 | CN1822381A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200510135991.5 | 申请日期 | 2005.12.29 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 任劤爀 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/8232(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：滤色器层，形成在半导体衬底之上；平坦化层，形成在所述滤色器层上；以及微透镜，形成在所述平坦化层上，其中，所述微透镜用与所述平坦化层的材料相同的材料形成，并且被定位为对应于所述滤色器层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||