一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法

摘要

本发明涉及半导体发光二极管表面钝化方法，适于多种波长的LED。现用在LED上的钝化层是SiO₂和SiN_x，不能很好改善LED光特性。本发明步骤：已经制备好N电极(5)和P电极(2)的LED样品放入到PECVD设备的腔室；N₂预热：使用流量为400～1000sccm的N₂预热5～20分钟；等离子体处理：等离子体的射频功率为10～30W，N₂为400～1000sccm，启辉5至15分钟；在LED的出光面制备SiO_xN_y增透膜：通入硅烷，氮气，一氧化二氮的混合气或者硅烷，氨气，一氧化二氮混合气，使用高、低频源交替的方法用PECVD生长钝化层的光学厚度为LED发射波长四分之一的奇数倍，折射率为P型半导体3折射率的开方；光刻腐蚀去掉出光面电极上的SiO_xN_y。本发明的钝化膜黏附性好、致密度高、均匀性好，能极大提高LED的光提取效率。

主权项

1、一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将已经制备好N电极(5)和P电极(2)的LED样品放入到等离子增强化学气相沉积PECVD设备的腔室；2)N2预热：使用流量为400～1000sccm的N2预热5～20分钟；3)等离子体处理：等离子体的射频功率为10～30W，N2为400～1000sccm，启辉5至15分钟；4)在LED的出光面制备SiOxNy增透膜：通入硅烷，氮气，一氧化二氮的混合气或者硅烷，氨气，一氧化二氮混合气，用13.56MHz的高频源和50～460kHz低频源交替的方法用PECVD生长钝化层，该钝化层的光学厚度为LED发射波长四分之一的奇数倍，折射率为P型半导体(3)折射率的开方；5)使用光刻腐蚀的方法去掉出光面电极上的增透膜。