| 发明名称 | 电极组件 | ||
| 摘要 | 这里公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。此等离子体加工系统包括加工室，等离子体在其中被点燃和保持以用于加工。等离子体加工系统还包括位于加工室下端处的电极(152)。电极被构型为用来在加工室中产生电场。等离子体加工系统还包括用来控制电极与等离子体之间的阻抗的元件(158)。此阻抗被设置成影响电场，以改善衬底表面上的加工均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1822317A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610009280.8 | 申请日期 | 2000.12.22 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | F·郝;A·R·埃林贝;E·H·伦茨 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/683(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01);H05H1/46(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C16/505(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 廖凌玲 |
| 主权项 | 1.一种用于在等离子体处理过程中支持衬底的支座，所述支座包括：配置成用于产生电场的电极；设于所述电极上方的吸盘，所述吸盘被配置成用于保持所述衬底；设于所述电极上方的边沿环，所述边沿环被配置成用于屏蔽所述电极和吸盘；设于所述电极和所述边沿环之间的阻抗匹配层，所述阻抗匹配层被结合到所述电极或所述边沿环，所述阻抗匹配层的特性或特征被配置成用于控制所述电极和等离子体之间的阻抗，所述阻抗被配置成影响所述电场以改善所述衬底表面上的加工均匀性。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||