发明名称 开放位线结构的全强度可测试存储器设备及其测试方法
摘要 本发明提供了一种具有开放位线结构的全强度可测试存储器设备以及一种测试该存储器设备的方法。本发明的存储器设备包括虚位线以及连接到该虚位线的电压控制器。该电压控制器在测试模式期间交替地将第一可变控制电压和第二可变控制电压提供所述虚位线。根据测试该存储器设备的方法,在正常操作模式期间将固定电压提供到边缘子阵列的虚位线上。但是,在测试模式期间,利用电源电压和/或地电压来替换正施加到虚位线上的固定电压,从而可以平等地测试所有子阵列。
申请公布号 CN1822208A 申请公布日期 2006.08.23
申请号 CN200510129467.7 申请日期 2005.12.09
申请人 三星电子株式会社 发明人 朴基元;黄泓善;金成律
分类号 G11C7/00(2006.01);G11C29/00(2006.01);H01L27/105(2006.01) 主分类号 G11C7/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1.一种具有开放位线结构的存储器设备,包括:多个虚存储器单元;多条虚位线,连接到所述虚存储器单元,所述虚位线在正常操作模式期间将所述虚存储器单元连接到固定电压;以及电压控制器,连接到所述虚位线,所述电压控制器用来在测试模式期间将第一可变控制电压提供到所述虚位线的第一子集以及将第二可变控制电压提供到所述虚位线的第二子集,所述第一可变控制电压和所述第二可变控制电压中的至少一个具有与所述固定电压的电压电平不同的电压电平。
地址 韩国京畿道