沟渠式双扩散金属氧化半导体装置及其制造制程及方法

摘要

本发明是描述一种用于制造高密度沟渠DMOS(双扩散金属氧化半导体)晶体管的方法，该晶体管于三度空间的沟渠角落处具有改良的闸极氧化物崩溃并具有较佳的本体接触，其可改良闭锁抗扰性且增加驱动电流。一防护环屏蔽是使用以界定一深本体，以覆盖该三度空间的沟渠角落，其可避免于关闭状态操作期间的过早的闸极氧化物崩溃。防护环屏蔽的另一功能是在于沟渠的边界处界定经自我校准的较深的沟渠。该沟渠的边界处的较深的沟渠会造成在边界处长成较深的闸极氧化物，此一较深的氧化物层用以避免于三度空间的沟渠角落处的过早的闸极氧化物崩溃。于N－本体向内驱动步骤后，藉沉积一氧化物层且随后进行一氧化回蚀步骤而形成沟渠隔离物。该隔离物是使用以于高剂量源极植入步骤期间，避免任何所不欲的杂质穿透沟渠侧壁而进入装置通道。

主权项

1.一种DMOS半导体装置，其包含多个DMOS晶体管晶胞，该DMOS晶体管晶胞形成于一第一传导型式的基材上且包括一第二传导型式的本体区域，该晶体管晶胞包括一沟渠，该沟渠是形成于该基材上且具有一第一端、一第二端与一互连该第一端与该第二端的中间部位，该第一与第二端的底表面低于该沟渠的中间部位的底表面。