| 发明名称 | 多阶段离子化金属电浆制程 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多阶段离子化金属电浆(IMP)制程，包括下列两阶段。在第一阶段中，利用金属电浆且仅使用直流电源沉积第一导电金属层于开口中。在第二阶段中，利用离子化金属电浆且使用直流电源、无线电频率电源、和无线电频率偏压源沉积第二导电金属层于第一导电金属层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1271237C | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN02122001.8 | 申请日期 | 2002.05.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 章越;徐锋 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01);C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C23C14/22(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种多阶段离子化金属电浆制程，包括：提供一半导体基底，该半导体基底上具有一绝缘层，该绝缘层中具有一开口；利用金属电浆且仅使用直流电源沉积第一导电金属层于该开口中；以及利用离子化金属电浆且使用直流电源、无线电频率电源和无线电频率偏压源沉积一第二导电金属层于该第一导电金属层上。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||