可电擦只读存储器及减少栅极氧化物的损坏的方法

摘要

本发明涉及一种译码器，其是在可电擦只读存储器的行译码器中，加上一偏压或者浮接选择晶体管的栅极在擦去操作的期间，利用减少栅极和相关的高擦去电压的差异，会降低栅极氧化物损坏的电压，这样将允许在晶体管中使用一较薄的栅极氧化物，致使晶体管布局在给定的位线尺寸内较为容易。

主权项

1.一种可电擦只读存储器，其特征在于，包括：数个位线；数个源极线；数个单元晶体管，连接位线和源极线；数个位线放电晶体管，选择性连到上述位线以进行放电；数个位线选择晶体管，耦接上述位线以进行选择；数个行译码器，连接到数个位线放电晶体管和数个位线选择晶体管的栅极，用以将一输入信号译码以从数个位线中选择一个位线；以及其中上述数个行译码器在擦去操作期间还提供一个偏压加到至少一个上述位线放电晶体管和上述位线选择晶体管。