掺杂TiO<SUB>2</SUB>低压压敏陶瓷及制作方法

摘要

本发明公开了一种掺杂TiO₂低压压敏陶瓷，其以分析纯TiO₂为主体，以Ta₂O₅为半导化掺杂物，SrCO₃为受主掺杂物，并掺入适量的Bi₂O₃、SiO₂作助烧剂烧结而成。本发明的特点在于：以Ta₂O₅代替Nb₂O₅等5价金属氧化物作为半导化掺杂物，可使TiO₂为基的压敏陶瓷具有更低的压敏电压和更高的介电系数；改变受主SrCO₃的掺杂量，可以调节该材料的相关电性能参数；与SrTiO₃系低压压敏陶瓷相比，工艺、设备都相对简单，成本降低。本发明所制得的陶瓷材料的视在介电系数ε一般可达10⁵以上，E_10mA一般为1-10V/mm，α的值可达到3.0以上，其性能参数可以通过调整组成和烧结条件而有所变化。

主权项

1.一种掺杂TiO2低压压敏陶瓷，其特征在于：组成配方由以下原料按净值摩尔比计算：主体 TiO2 1半导化掺杂物质 Ta2O5 0.0005～0.0010助烧剂 Bi2O3 0.001～0.005助烧剂 SiO2 0.005～0.015受主掺杂物质 SrCO3 0.005～0.012。