发明名称 MOS TRANSISTOR HAVING RAISED DRAIN/SOURCE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060092004(A) 申请公布日期 2006.08.22
申请号 KR20050013278 申请日期 2005.02.17
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JIN, YOU SEUNG;MAEDA SHIGENOBU
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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