发明名称 晶片封装结构
摘要 本发明提出一种晶片封装结构,其包括一晶片、多数个引脚、多数个导线、一第一金属片、一第二金属片以及一封胶。晶片具有一主动表面以及一背面,而多数个焊垫配置于主动表面上。这些引脚系由晶片之周围向外延伸。而这些导线系电性连接于这些焊垫与这些引脚之间。第一金属片系配置于晶片之背面。第二金属片系具有一上表面以及一下表面,且上表面接触第一金属片。封胶包覆晶片、这些导线、第一金属片以及第二金属片。这些引脚延伸于封胶之外,且第二金属片之下表面具有一绝缘镀层,其暴露于封胶之外。
申请公布号 TWI260758 申请公布日期 2006.08.21
申请号 TW094123688 申请日期 2005.07.13
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 刘俊成;刘承政
分类号 H01L23/50 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种晶片封装结构,包括:一晶片,该晶片具有一主动表面以及一背面,而多数个焊垫配置于该主动表面;多数个引脚,由该晶片之周围向外延伸;多数个导线,电性连接于该些焊垫与该些引脚之间;一第一金属片,配置于该晶片之该背面;一第二金属片,具有一上表面以及一下表面,且该上表面接触该第一金属片;以及一封胶,包覆该晶片、该些导线以及该第一、第二金属片,而该些引脚延伸于该封胶之外,且该第二金属片之该下表面具有一绝缘镀层,其暴露于该封胶之外。2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,更包括一黏着层,连接于该第一金属片与该第二金属片之间。3.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第一金属片之材质为铜。4.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该第二金属片之材质为铝。5.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,其中该绝缘镀层系以阳极处理所形成之一氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构,更包括一晶片座,配置于该晶片之该背面与该第一金属片之间。7.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该晶片座与该些引脚之材质相同。8.如申请专利范围第6项所述之晶片封装结构,其中该晶片座与该些引脚之材质为铜。图式简单说明:图1绘示为习知晶片封装结构之示意图。图2绘示为对图1之引脚电镀锡层后的习知晶片封装结构示意图。图3绘示为本发明一实施例之晶片封装结构的示意图。图4绘示为本发明另一实施例之具有晶片座之晶片封装结构的示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号