| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体装置之方法,其包含:在一半导体基板上形成具有一多孔结构之一低介电常数绝缘膜;在该低介电常数绝缘膜中形成一凹陷;在具有该凹陷的该低介电常数绝缘膜上以及在该凹陷内提供一埋入绝缘膜;移除提供于该凹陷内的该埋入绝缘膜,从而打开该凹陷;以及将导电材料埋入该凹陷内而形成一导电部分。2.如请求项1之方法,其中藉由以下操作来打开该凹陷:在该埋入绝缘膜上形成一光阻图案;以及藉由一RIE并将该光阻图案用作一光罩来选择性地移除该埋入绝缘膜。3.如请求项2之方法,其中打开该凹陷而不移除在该低介电常数绝缘膜之一上部表面上提供的该埋入绝缘膜之部分。4.如请求项3之方法,其进一步包含在打开该凹陷后移除该光阻图案。5.如请求项4之方法,其中藉由使用一放电的O2气体来移除该光阻图案,并且藉由该放电的O2来使在该低介电常数绝缘膜之该上表面上保持未移除之该埋入绝缘膜的部分密化而转化成一覆盖层。6.如请求项5之方法,其进一步包含在移除该光阻图案后施加一热处理,而且其中进一步藉由该热处理来密化该覆盖层。7.如请求项1之方法,其中藉由以下操作来形成该凹陷:在该低介电常数绝缘膜上形成一光阻图案;以及藉由一RIE并将该光阻图案用作一光罩来选择性地移除该低介电常数绝缘膜;以及其中在该低介电常数绝缘膜上提供该埋入绝缘膜,且在该等二者之间插入该光阻图案。8.如请求项7之方法,其中藉由一RIE并将该光阻图案用作一光罩来选择性地移除该埋入绝缘膜,从而打开该凹陷,而且该凹陷形成及该凹陷打开系藉由自对准而实行。9.如请求项1之方法,其中该低介电常数绝缘膜包含一含甲基的矽酸盐膜。10.如请求项1之方法,其进一步包含在该低介电常数绝缘膜上形成一覆盖层,其中藉由刺穿该盖层而在该低介电常数绝缘膜中形成该凹陷。11.如请求项1之方法,其中藉由一RIE并使用一碳氟化合物系列气体而在该低介电常数绝缘膜中形成该凹陷。12.如请求项1之方法,其中该埋入绝缘膜包含一有机膜与一SiCOH膜中的至少一膜。13.如请求项1之方法,其中藉由提供该埋入绝缘膜而使该凹陷之一表面区域密化,该表面区域系由该低介电常数绝缘膜组成。14.如请求项13之方法,其中该凹陷系一导线沟渠,并将该导线沟渠之该表面区域转换成厚度为20nm或更厚之一密化层。15.如请求项1之方法,其中藉由在形成一清漆涂布膜后加热该涂布膜来提供该埋入绝缘膜。16.如请求项15之方法,其中藉由将甲基矽氧烷溶解于一溶剂中来制备该清漆。17.如请求项16之方法,其中该甲基矽氧烷之分子量为500至10,000。18.如请求项1之方法,其中藉由一CVD方法来提供该埋入绝缘膜。19.如请求项18之方法,其中藉由将一有机矽烷用作一原材料来实行该CVD方法,而且该埋入绝缘膜包含从SiO2、SiOCH、SiCH、SiCNH及SiN组成的群组中选择至少一成分。20.如请求项18之方法,其中藉由将一至少含C之气体用作一原材料来实行该CVD方法,而且该埋入层包含从CH、CHO、CHN、CHNO、CHF及CF组成的群组中选择至少一成分。图式简单说明:图1系显示依据本发明之一项具体实施例之一半导体装置之制造方法中的一步骤之一断面图;图2系显示图1所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图3系显示图2所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图4系显示图3所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图5系显示图4所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图6系显示图5所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图7系显示藉由依据本发明之一项具体实施例之方法而制造的半导体装置之一断面图;图8系显示依据本发明之另一项具体实施例之一半导体装置之制造方法中的一步骤之一断面图;图9系显示图8所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图10系显示图9所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图11系显示图10所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图12系显示图11所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图13系显示图12所示步骤后之一接续步骤之一断面图;图14系显示藉由依据本发明之另一项具体实施例之方法而制造的半导体装置之一断面图。 |
