| 主权项 |
1.一种发光二极体结构,至少包括:一磊晶结构;一粘着层,位于该磊晶结构之一侧;以及一复式基材,藉由该粘着层与该磊晶结构相互结合,其中该复式基材至少包括:一图案化矽层,具有复数个贯穿开口;以及一金属层,覆盖于该图案化矽层之上,其中该金属层之一部份包埋于该些贯穿开口之内,并与该粘着层接触。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该磊晶结构系选自于由同质结构、单异质结构、双异质结构、多重量子井以及上述任意组合所组成的一族群。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该粘着层系选自于由一有机材料、金属材料、以及上述任意组合所组成之一族群。4.如申请专利范围第3项所述之发光二极体结构,其中该粘着层之材质系选自于由苯并环丁烯(B-stagedbisbenzocyclobutene;BCB)树脂、金铍/金(AuBe/Au)合金以及上述任意组合所组成之一族群。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该金属层之材质系选自于铜、氧化铜、镍、铜/镍合金、以及上述任意组合所组成之一族群。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该金属层之结构系选自于由单层单金属结构、多层异质金属穿插结构、单层合金结构、以及上述任意组合所组成之一族群。8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该金属层的厚度范围实质在于0.5m到100m之间。9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该图案化矽层的厚度范围实质在于1m到200m之间。10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该贯穿开口的形状系选自于由圆形、方形、三角形、多边形、不规则形、以及上述任意组合所组成之一族群。11.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,其中该贯穿开口的排列方式系选自于由规则排列与不规则排列所组成之一族群。12.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,更至少包括一接触层以及一反射层位于该粘着层与该磊晶结构之间。13.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,更至少包括一第一电极以及一第二电极,连接于该磊晶结构之上,其中该第一电极以及该第二电极皆位于该图案化矽层之相同的一侧。14.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构,更至少包括一第一电极以及一第二电极,连接于该磊晶结构之上,其中该第一电极以及该第二电极系分别位于该图案化矽层之相异的两侧。15.如申请专利范围第14项所述之发光二极体结构,其中该第二电极系与该图案化矽层接触。16.如申请专利范围第15项与第1项所述之发光二极体结构,其中该第二电极系该金属层。17.一种发光二极体结构的制造方法,该制造方法至少包括:提供一第一基材形成一磊晶结构,于该第一基材之上;提供并图案化一第二基材,使该第二基材之一第一表面具有至少一开口;进行一粘着制程,将该第二基材之该第一表面粘着于该磊晶结构远离该第一基材之一侧上;移除该第二基材之一部份,使该些开口贯穿该第二基材,并藉由该些开口将该粘着层之一部份暴露出来;形成一金属层,覆盖于该第二基材余留下来的部分上,其中该金属层之一部份填充于该些开口之内,并且与该粘着层接触;以及移除该第一基材。18.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中所形成之该磊晶结构系选自于由同质结构、单异质结构、双异质结构、多重量子井以及上述任意组合所组成的一族群。19.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中形成该磊晶结构之步骤更包括形成一接触层以及一反射层位于于该磊晶结构之上,远离该第一基材之一侧。20.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中形成并图案化该第二基材之步骤系藉由一蚀刻制程图案化该第二基材之该第一表面。21.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中该第二基材系由矽所组成22.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中进行该粘着制程之步骤至少包括:形成一粘着层,于该磊晶结构远离该第一基材之一侧;以及藉由该粘着层使该第二基材之该第一表面与该磊晶结构相互连结。23.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中该粘着层之材质系选自于由苯并环丁烯树脂、金铍/金合金、以及上述任意组合所组成之一族群。24.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中移除该第二基材之一部份之步骤,系选自于由一蚀刻制程、一化学机械研磨制程、以及上述任意组合所组成之一族群。25.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,其中形成该金属层之步骤系选自于由溅镀制程、阳极氧化制程、以及上述之任意组合所组成之一族群。26.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,更包括形成一第一电极以及一第二电极,连接于该磊晶结构之上。27.如申请专利范围第17项以及第26项所述之发光二极体结构的制造方法,其中该第一电极以及该第二电极皆位于该第二基材之相同的一侧。28.如申请专利范围第17项所述之发光二极体结构的制造方法,更包括形成一第一电极,连接于该磊晶结构上远离该第二基材之一侧。29.一种发光二极体结构的制造方法,该制造方法至少包括:提供一第一基材形成一磊晶结构,于该第一基材之上;提供一第二基材,其中该第二基材具有一第一表面以及一第二表面;进行一粘着制程,藉由一粘着层将该第二基材之第一表面粘着于该磊晶结构远离该第一基材之一侧上;移除该第二基材之一部份,在第二表面形成至少一开口贯穿该第二基材,使该粘着层之一部份暴露出来;形成一金属层,覆盖于余留下来之该第二基材之上,其中该金属层之一部份填充于该些开口之内,并与该粘着层接触;以及移除该第一基材。30.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中所形成之该磊晶结构系选自于由同质结构、单异质结构、双异质结构、多重量子井以及上述任意组合所组成的一族群。31.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中形成该磊晶结构之步骤更包括形成一接触层以及一反射层位于于该磊晶结构之上,远离该第一基材之一侧。32.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中移除该第二基材之一部份之步骤系藉由一蚀刻制程加以进行。33.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中该第二基材系由矽所组成34.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中进行该粘着制程之步骤至少包括:形成该粘着层,于该磊晶结构远离该第一基材之一侧;以及藉由该粘着层使该第二基材之该第一表面与该磊晶结构相互连结。35.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中该粘着层系由苯并环丁烯树脂所组成。36.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中移除该第二基材之一部份之步骤,系选自于由一蚀刻制程、一化学机械研磨制程、以及上述任意组合所组成之一族群。37.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,其中形成该金属层之步骤系选自于由溅镀制程、阳极氧化制程、以及上述之任意组合所组成之一族群。38.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,更包括形成一第一电极以及一第二电极,连接于该磊晶结构之上。39.如申请专利范围第29项以及第38项所述之发光二极体结构的制造方法,其中该第一电极以及该第二电极皆位于该第二基材之相同的一侧。40.如申请专利范围第29项所述之发光二极体结构的制造方法,更包括形成一第一电极,连接于该磊晶结构上远离该第二基材之一侧。图式简单说明:第1图系根据本发明的第一较佳实施例所绘示之发光二极体结构的剖面示意图。第2图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示在第一基材之上形成一个磊晶结构的制程结构剖面图。第3a图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示提供一个图案化之第二基材的制程结构剖面图。第3b图系根据本发明的第一较佳实施例绘示图案化之后之第二基材的结构俯视图。第4图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示图案化之第二基材与磊晶结构在完成粘着制程之后的制程结构剖面图。第5图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示移除一部份的图案化第二基材之后的制程结构剖面图。第6图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示在图案化矽层之上形成金属层之后的制程结构剖面图。第7图系根据本发明的第二较佳实施例所绘示之发光二极体结构的剖面示意图。第8图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示在第一基材之上形成一个磊晶结构的制程结构剖面图。第9图系根据本发明的第二较佳实施例,绘示第二基材与磊晶结构在完成粘着制程之后的制程结构剖面图。第10a图系根据本发明的第一较佳实施例,绘示图案化第二基材之后的制程结构剖面图。第10b图系根据本发明的第一较佳实施例绘示图案化第二基材之后的结构俯视图。第11图系根据本发明的第二较佳实施例,绘示在图案化矽层之上形成金属层之后的制程结构剖面图。第12图系绘示在第一较佳实施例之发光二极体结构上形成第一电极以及第二电极的剖面示意图。第13图系绘示在第一较佳实施例之发光二极体结构上形成第一电极以及第二电极的另外一个剖面示意图。 |
