| 主权项 |
1.一种发光二极体封装结构,包括:一发光二极体;一基板结构,该基板结构之一表面具有一容置槽与至少一沟槽,该容置槽用以容置该发光二极体,该至少一沟槽系与该发光二极体间隔一预定距离(D),且围绕地设置于该发光二极体;以及至少一封装胶体,覆盖该发光二极体以及部份该基板结构之该表面,且该封装胶体系受限于该沟槽之表面张力作用,而定位于该至少一沟槽所围绕之一预定范围内。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该沟槽之侧剖面系为一V形、方形、半圆形。3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该沟槽之上视系为一圆形、四方形、多角形、非连续性圆形、非连续性四方形、非连续性多角形。4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该沟槽系设置于该容置槽外部。5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该沟槽系设置于该容置槽中。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该基板结构包括一基板以及一矽载板,该矽载板系设置于该容置槽中,用以装设该发光二极体。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体封装结构,其中该至少一沟槽系包括一第一沟槽,该第一沟槽系与该发光二极体间隔一第一预定距离(D1),且该至少一封装胶体系包括一第一封装胶体。8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体封装结构更包含一第二封装胶体,覆盖于该第一封装胶体,该基板结构之该表面更具有一第二沟槽,该第二沟槽系与该发光二极体间隔一第二预定距离(D2),且围绕地设置于该发光二极体。9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体封装结构更包含一第三封装胶体,覆盖于该第二封装胶体,该基板结构之该表面更具有一第三沟槽,该第三沟槽系与该发光二极体间隔一第三预定距离(D3),且围绕地设置于该发光二极体。10.如申请专利范围第9项所述之发光二极体封装结构,其中该第一封装胶体之折射率系大于该第二封装胶体之折射率,且,该第二封装胶体之折射率系大于该第三封装胶体之折射率。11.一种发光二极体封装结构之制造方法,包括下列步骤:提供一基板结构,该基板结构之一表面具有一容置槽;形成一至少一沟槽于该基板结构之该表面;设置一发光二极体于该容置槽中,该至少一沟槽系与该发光二极体间隔一预定距离(D),且围绕地设置于该发光二极体;以及进行一点胶步骤,以将至少一封装胶体覆盖该发光二极体以及部份该基板结构之该表面,且该封装胶体系受限于该沟槽之表面张力作用,而定位于该至少一沟槽所围绕之一预定范围内。12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体封装结构之制造方法,于该提供一基板结构,该基板结构之一表面具有一容置槽之步骤前,更包括下列步骤:提供一基板;形成该容置槽于该基板上;设置一矽载板于该容置槽中,以形成该基板结构,其中,该发光二极体系设置于该矽载板上。13.如申请专利范围第12项所述之发光二极体封装结构之制造方法,其中当该至少一沟槽形成于该基板结构之该基板上时,系利用一乾蚀刻的方法,以形成该至少一沟槽。14.如申请专利范围第12项所述之发光二极体封装结构之制造方法,其中当该至少一沟槽形成于该基板结构之该矽载板上时,系利用一乾蚀刻的方法,以形成该至少一沟槽。15.如申请专利范围第12项所述之发光二极体封装结构之制造方法,其中当进行该点胶步骤时,可藉由调整(adjust)该预定距离(D),以控制该至少一封装胶体之形成曲率。图式简单说明:图一A系为习知发光二极体封装结构侧剖面示意图;图一B系为习知另一发光二极体封装结构侧剖面之示意图;图二A系为本发明第一实施例之发光二极体封装结构侧剖面示意图;图二B系为图二A之发光二极体封装结构上视图;图二C系为具有不同型式沟槽于图二A所示之局部区域内;图二D系将图二B所示之封装胶体设置于不同型式沟槽内之示意图;图三A系为本发明第二实施例之发光二极体封装结构侧剖面示意图;图三B系为本发明第三实施例之发光二极体封装结构侧剖面示意图;图三C系为本发明第四实施例之发光二极体封装结构侧剖面示意图;图三D系为本发明第四实施例之发光二极封装结构之侧剖面示意图;以及图四系为本发明之发光二极体封装结构之制造方法流程图。 |
