发明名称 处理含全氟化合物及/或含氢氟烃废气之方法
摘要 一种处理含全氟化合物及∕或含氢氟烃废气之方法,此方法系将含全氟化合物及∕或含氢氟烃废气与铁氧化物触媒进行气固接触,并进行电浆氧化反应,之后再以触媒进行气固接触及氧化反应,以达到分解全氟化合物及∕或含氢氟烃的目的。由于本发明可在较先前技术低许多之温度下操作,其能源消耗小且不具着火危险性,因此,非常适合用来去除半导体及光电制造工厂所产生之含全氟化合物之废气。
申请公布号 TWI260239 申请公布日期 2006.08.21
申请号 TW093123307 申请日期 2004.08.04
申请人 慧群环境科技股份有限公司 发明人 林树荣
分类号 B01D53/88 主分类号 B01D53/88
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,包括:进行一第一触媒处理步骤;进行一电浆处理步骤;以及进行一第二触媒处理步骤。2.如申请专利范围第1项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中该第一、该第二触媒系选自铁氧化物、铜锌触媒及活性铝吸收剂所组成之族群。3.如申请专利范围第2项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中该第一、该第二触媒处理步骤所使用的触媒系选自三氧化二铁、水合三氧化二铁、四氧化三铁、水合四氧化三铁所组成之族群。4.如申请专利范围第1项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中该电浆处理步骤系在该第一与该第二触媒处理步骤之间进行,且该第一触媒处理步骤系在该电浆处理步骤之前进行。5.如申请专利范围第4项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中在以该电浆处理之后,在进行该第二触媒处理步骤之前,更包括将电浆处理之后之该含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气与助氧化物质混合。6.如申请专利范围第5项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中该助氧化物质系选自氢、氧以及水所组成之族群。7.如申请专利范围第6项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中该进流之助氧化物质之浓度为全氟化合物及/或含氢氟烃废气浓度比例之0.001~10倍。8.如申请专利范围第4项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,在进行该第一触媒处理步骤之前,更包括将该含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气加热之至室温或室温以上。9.如申请专利范围第4项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中在进行该第二触媒处理步骤之后,更包括以一洗涤液饱和该第二触媒处理后所形成的气体中的无机酸类。10.如申请专利范围第1项所述之处理含全氟化合物及/或含氢氟烃之废气之方法,其中该全氟化合物包括CF4、C2F6、C3F8、NF3、SF6或其组合,该含氢氟烃为CHF3。图式简单说明:图1是依照本发明实施方式所绘式之废气处理设备之示意图。图2是依照本发明实施方式所绘式之废气处理方法的流程图。图3系绘示本发明助氧化剂分别为H2和O2,在不同输入功率时,其H2/SF6及O2/SF6进流比由0增加至5之SF6的分解率。
地址 台北市内湖区民权东路6段160号8楼之3