发明名称 陈化感测电浆设备之半导体装置的方法与装置
摘要 电浆设备陈化方法以及实施此陈化方法的电浆设备。此陈化方法包括:在操作电浆设备进行一电浆制程前,测量电浆设备之制程室中的一光学放射强度比的步骤,光学放射强度比系为具有矽氧化物基(SiOX)-的化学物种之光学放射强度,比上具有碳氟化合物基(CFY)-的化学物种之光学放射强度;决定测得的光学放射强度比值是否在一正常状态的预定范围内的步骤;以及当基于决定的结果为测得的光学放射强度比值是在一正常状态的预定范围内,而用于电浆制程中的反应气体被供应至制程室中时,陈化制程室的内部以改变反应气体之成分比步骤,且因此改变光学放射强度比。
申请公布号 TWI260685 申请公布日期 2006.08.21
申请号 TW094109278 申请日期 2005.03.25
申请人 适性电浆科技股份有限公司 发明人 宋荣洙;吴相龙;金升基;金南宪
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 蔡玉玲 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项 1.一种陈化一电浆设备的方法,包含下列步骤:在操作该电浆设备进行一电浆制程前,测量该电浆设备之制程室中的一光学放射强度比,该光学放射强度比系为具有矽氧化物基(SiOX)-的化学物种之光学放射强度,比上具有碳氟化合物基(CFY)-的化学物种之光学放射强度;决定该测得的光学放射强度比値是否在一正常状态的预定范围内;以及当基于该决定的结果为测得的光学放射强度比値是在一正常状态的预定范围内,而用于该电浆制程中的反应气体被供应至该制程室中时,陈化该制程室的内部以改变该反应气体之成分比,且因此改变该光学放射强度比。2.如请求项1所述之方法,其中该光学放射强度比的测量步骤包含:供应该用于电浆制程的反应气体至该制程室、改变该反应气体至一电浆状态、以及透过光学放射量测来进行光谱分析(spectroscopic analysis)。3.如请求项1所述之方法,其中该陈化步骤包含:若该测得的光学放射强度比値是超过该正常状态的预定范围的上限値时,进行第一陈化以供应第一反应气体至该制程室,该第一反应气体具有百分比相对增加的一成分,使该反应气体之中具有碳氟化合物基(CFY)-的化学物种之光学放射强度增加;以及若该测得的光学放射强度比値是低于该正常状态的预定范围的下限値时,进行第二陈化以供应第二反应气体至该制程室,该第二反应气体具有百分比相对增加的一成分,使该反应气体之中具有矽氧化物基(SiOX)-的化学物种之光学放射强度增加。4.如请求项3所述之方法,其中该用于电浆制程的反应气体包括四氟化碳(CF4)和氧气(O2),在第一陈化步骤中,使具有碳氟化合物基(CFY)-的化学物种之光学放射强度增加的成分是四氟化碳(CF4),且在第二陈化步骤中,使具有基于矽氧化物(SiOX)-的化学物种之光学放射强度增加的成分是氧气(O2)。5.一种电浆设备,包含:一制程室,具有一内部空间用于进行一电浆制程;一电浆产生线圈,位于该制程室以产生电浆;一光学放射光谱分析单元,设置于该制程室之壁上,用于光谱性地分析该制程室中所出现之化学物种;一光学放射强度比値计算单元,用于从该光学放射光谱分析单元所收集与光谱性地分析的结果,计算具有矽氧化物基(SiOX)-的化学物种之光学放射强度,以及具有碳氟化合物基(CFY)-的化学物种之光学放射强度之间,所得的光学放射强度比,并且比较该计算的光学放射强度比値和一正常状态的预定范围,来决定是否须要进行陈化,而且若陈化是须要的,决定适当的陈化种类;以及一主控制单元,用于控制反应气体的供应,该反应气体系导入至该制程室,以基于该光学放射强度比値计算单元所做的决定,来进行陈化。图式简单说明:图1为流程图,显示一依照本发明较佳实施例的电浆设备陈化方法;图2为剖面图,显示一种电浆蚀刻目标的范例,以实施依照本发明较佳实施例的电浆设备陈化方法;图3至5为图表,用以分别说明依照本发明较佳实施例之电浆设备陈化方法的陈化选择;以及图6为示意图,显示一种电浆设备,以实施依照本发明之较佳实施例之电浆设备陈化方法。
地址 韩国