| 主权项 |
1.一种晶圆曝光方法,用以避免低介电常数层剥落,适用于一覆盖有低介电常数层之晶圆与一微影光罩,系包含下列步骤:设置一有效图案位于该微影光罩上之第一区域;设置至少一虚置图案位于该微影光罩上之第二区域;以及以该微影光罩为单元,在该覆盖有低介电常数层之晶圆上进行曝光,其中,在该晶圆边缘未能容纳完整的该微影光罩之区域,以该微影光罩上的虚置图案进行曝光。2.根据申请专利范围第1项所述之晶圆曝光方法,其中该第一区域大体位于该微影光罩之中央位置。3.根据申请专利范围第1项所述之晶圆曝光方法,其中该第二区域大体位于该微影光罩之角落。4.根据申请专利范围第1项所述之晶圆曝光方法,其中该虚置图案为包含复数个等距排列的接触洞方形阵列。5.根据申请专利范围第1项所述之晶圆曝光方法,其中该虚置图案为包含复数个等距排列的接触洞三角形阵列。6.根据申请专利范围第1项所述之晶洞曝光方法,其中该第二区域上设置复数个等距排列的接触洞方形阵列作为第一虚置图案,而设置复数个等距排列的接触洞三角形阵列作为第二虚置图案。7.根据申请专利范围第1项所述之晶圆曝光方法,其中该低介电常数层之介电値小于4.0。8.根据申请专利范围第1项所述之晶圆曝光方法,其中该微影光罩为矩形光罩。9.一种晶圆曝光方法,适用于覆盖有一低介电常数层之一晶圆,包含下列步骤:在该晶圆上定义一完整曝光区,并在该晶圆之边缘定义一不规则曝光区;于该完整曝光区形成一元件图案;以及于该不规则曝光区形成一虚置图案,藉以避免该低介电常数层在后续制程中剥落。10.根据申请专利范围第9项所述之晶圆曝光方法,其中该低介电常数层之介电値小于4.0。11.根据申请专利范围第9项所述之晶圆曝光方法,其中该虚置图案包含接触洞阵列。12.根据申请专利范围第10项所述之晶圆曝光方法,其中该接触洞阵列为大致等距排列之接触洞方形阵列。13.根据申请专利范围第10项所述之晶圆曝光方法,其中该接触洞阵列为大致等距排列之接触洞三角形阵列。14.根据申请专利范围第10项所述之晶圆曝光方法,其中该接触洞阵列包含三角形阵列与矩形阵列。图式简单说明:第1图所示为习知的晶圆曝光方式与其低介电常数层剥落位置示意图。第2图所示为依据本发明之一实施例中之晶圆曝光位置分布示意图。第3图所示为根据本发明之一实施例中,一矩形微影光罩上的图案配置示意图。 |
