发明名称 产生化学性改质的填料之方法
摘要 所说明者系一种用以制造化学改质填料之改良方法,其系藉由使用在pH值为2.5以下之一无机氧化物的含水悬浮液中之官能化剂与疏水化剂之一特定组合物,及于填料之化学改质作用之后升高该悬浮液的pH值。
申请公布号 TWI260335 申请公布日期 2006.08.21
申请号 TW089116781 申请日期 2000.11.07
申请人 片片坚俄亥俄州工业公司;陶氏康宁公司 发明人 提姆斯A. 欧可;詹姆士R. 汉恩
分类号 C09C1/30;C09C3/08;C09C3/12 主分类号 C09C1/30
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种制造化学改质填料之方法,其系选择性地在 一表面活性剂及/或一水溶混性溶剂之存在下,藉 由将选自沈淀型氧化矽、胶体氧化矽或其混合物 之一种无定形或颗粒状无机氧化物之酸性含水悬 浮液与一偶合剂接触,以形成化学改质填料的酸性 含水悬浮液,及回收该填料,其增进之处包括在pH値 为2.5以下之一种无机氧化物的含水悬浮液中使用( a)双(烷氧基甲矽烷基烷基)聚硫化物与(b)非硫有机 金属化合物之一组合物作为偶合剂,(a)相对于(b)之 重量比例至少为0.05:1,及以酸中和剂处理该化学改 质填料的酸性含水悬浮液,以将该悬浮液之pH値升 高至自3.0至10之一范围; 其中该双(烷氧基甲矽烷基烷基)聚硫化物系由下 列化学式I所代表: Z-alk-Sn,-alk-Z I 其中alk系一个具有自1至18个碳原子之二价烃游离 基;n'系自2至12之一整数;及Z系为: 其中R系为一C1-C4烷基或为苯基;而R'系为一C1-C8烷 氧基、一C5-C8环烷氧基或为一C1-C8烷巯基; 其中该非硫有机金属化合物系选自下列群中之由 化学式II所代表的有机金属化合物: R1a MX(4-a) II 由化学式III所代表的有机金属化合物: R22c+2 Sico(c-1) III 由化学式IV所代表的有机金属化合物: R32dSidod IV 由化学式V所代表的有机金属化合物: (R23Si)kNR4(3-k) V 及该等有机金属化合物之一混合物;其中各M系彼 此独立地为矽、钛或锆;各R1系彼此独立地为具有1 至18个碳原子之烟基或者R1为具有1至12个碳原子之 一有机官能烃基,其中该官能度为胺基、羧酸、甲 醇酯或醯胺基;各X系彼此独立地为选自下列群中: 卤素、胺基、具有1至12个碳原子之烷氧基及具有1 至12个碳原子之醯氧基,a系为整数1、2或3;各R2系彼 此独立地为卤代基、羟基或为一个具有1至18个碳 原子之烃基,前提在于至少50莫耳%之R2取代基系为 含有1至18个碳原子之烃基,c为自2至10,000之一整数; 各R3系彼此独立地为卤代基、羟基或为一个具有1 至18个碳原子之经基,及d为自3至20之一整数;各R4系 彼此独立地为氢或为一个具有1至18个碳原子之烃 基,及k为1或2;及该卤代基或卤素系选自氯代基、 氟代基、溴代基或碘代基; 其中该非硫有机金属化合物系由化学式II、III、IV 、V所代表或为该等有机金属化合物之一混合物, 其中各M系为矽;以及 其中系以双(烷氧基甲矽烷基烷基)聚硫化物与巯 基有机金属物质之一组合物取代该双(烷氧基甲矽 烷基烷基)聚硫化物,双(烷氧基甲矽烷基烷基)聚硫 化物相对于巯基有机金属物质之重量比例系至少 大于1:1。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该双(烷氧基 甲矽烷基烷基)聚硫化物系选自下列群中: 3,3'-双(三甲氧基甲矽烷基丙基)二硫化物; 3,3'双(三乙氧基甲矽烷基丙基)四硫化物; 3,3'双(三甲氧基甲矽烷基丙基)四硫化物; 2,2'双(三乙氧基甲矽烷基乙基)四硫化物; 3,3'双(三甲氧基甲矽烷基丙基)三硫化物; 3,3'双(三乙氧基甲矽烷基丙基)三硫化物; 3,3'一双(三丁氧基甲矽烷基丙基)二硫化物; 3,3'一双(三甲氧基甲矽烷基丙基)六硫化物;及 3,3-双(三辛氧基甲矽烷基丙基)四硫化物及其混合 物。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该非硫有机金 属化合物系选自下列群中:二乙基二氯矽烷、烯丙 基甲基二氯矽烷、甲基苯基二氯矽烷、苯基乙基 二乙氧基矽烷、3,3,3-三氟丙基甲基二氯矽烷、三 甲基丁氧基矽烷、均-二苯基四甲基二矽氧烷、三 乙烯基三甲基环三矽氧烷、八甲基环四矽氧烷、 六乙基二矽氧烷、戊基甲基二氯矽烷、二乙烯基 二丙氧基矽烷、乙烯基二甲基氯矽烷、乙烯基甲 基二氯矽烷、乙烯基二甲基甲氧基矽烷、三甲基 氯矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷 、甲基三氯矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙 氧基矽烷、六甲基二矽氧烷、己基甲基二氯矽烷 、己基二甲基氯矽烷、二甲基氯矽烷、二甲基二 氯矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基 矽烷、六甲基二矽氮烷、三乙烯基三甲基环三矽 氮烷、具有3至约20个二甲基矽氧基单元之聚二甲 基矽氧烷、钛酸四(C1-C18)烷氧基酯、甲基三乙氧 基钛(iv)、甲基钛(iv)三异丙氧化物、甲基钛(iv)三 丁氧化物、甲基钛(iv)三-特-丁氧化物、异丙基钛( iv)三丁氧化物、丁基钛(iv)三乙氧化物、丁基钛(iv )三丁氧化物、苯基钛(iv)三异丙氧化物、苯基钛( iv)三丁氧化物、苯基钛(iv)三异丁氧化物、[Ti(CH2Ph )3 (NC5H10)]、[Ti(CH2SiMe3)2(Net2)2]、锆酸四(C1-C18)烷氧基 酯、苯基锆(iv)三氯化物、甲基锆(iv)三氯化物、 乙基锆(iv)三氯化物、丙基锆(iv)三氯化物、甲基 锆(iv)三溴化物、乙基锆(iv)三溴化物、丙基锆(iv) 三溴化物、氯化三苯基锆(iv)及该等有机金属化合 物之混合物。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该非硫有机金 属化合物系由化学式II所代表,其中R1系为C1-C6烷基 ,X为氯代基,a为2,及该无机氧化物系为沈淀型氧化 矽。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中(a)相对于(b)之 重量比例系自0.05:1至10:1。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中(a)相对于(b)之 重量比例系自0.2:1至2:1。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该双(烷氧基 甲矽烷基烷基)聚硫化物相对于巯基有机金属物质 之重量比例系自5:1至50:1,及该无机氧化物系为沈 淀型氧化矽。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该巯基有机金 属物质系由下列结构式VII所代表: 其中M为矽,L为卤素或-OR7,Q为氢、C1-C12烷基或经卤 素取代之C1-C12烷基,R6为C1-C12烷撑,R7为C1-C12烷基或 为含有2至12个碳原子之烷氧烷基,该卤素或卤代基 为氯代基、溴代基、碘代基或氟代基,及n为1、2或 3。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中L系为-OR7,R6为C 1-C3烷撑,R7为C1-C4烷基及n为3。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该巯基有机 金属物质之巯基系为封闭的。 11.如申请专利范围第7项之方法,其中该巯基有机 金属物质系选自下列群中:巯基甲基三甲氧基矽烷 、巯基乙基三甲氧基矽烷、巯基丙基三甲氧基矽 烷、巯基甲基三乙氧基矽烷、巯基乙基三丙氧基 矽烷、巯基丙基三乙氧基矽烷、(巯基甲基)二甲 基乙氧基矽烷、(巯基甲基)甲基二乙氧基矽烷、3- 巯基丙基甲基二甲氧基矽烷及其混合物。
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