| 主权项 |
1.一种修整一研磨垫方法,用于化学机械平坦化和/ 或研磨一基板,该方法包括平坦该研磨垫表面的步 骤,因此修整后该研磨垫的该表面处理是较平坦于 修整前该研磨垫的该表面处理。 2.依申请专利范围第1项之修整一研磨垫方法,其中 修整前该研磨垫的该研磨表面平均粗造度是高于 修整后该研磨垫的该研磨表面平均粗造度。 3.依申请专利范围第1项之修整一研磨垫方法,其中 平坦该表面的该步骤包括用小于50微米大小的研 磨微粒以研磨该表面。 4.依申请专利范围第1项之修整一研磨垫方法,其中 平坦该表面的该步骤包括用固定于一戴具的研磨 微粒以研磨该表面及该微粒是小于50微米大小。 5.依申请专利范围第1项之修整一研磨垫方法,其中 平坦该表面的该步骤包括用固定于一戴具的研磨 微粒以研磨该表面,该微粒是小于50微米大小,及该 微粒具有一平均最邻近距离小于约4倍的微粒大小 。 6.依申请专利范围第1项之修整一研磨垫方法,其中 平坦该表面的该步骤包括用研磨微粒研磨该表面, 该微粒被固定于一戴具及该微粒是小于50微米大 小,该平坦步骤持续直至该表面的该微粒尺寸达到 最小的表面粗造度。 7.一种修整一树脂填充纤维研磨垫的方法,包括用 固定于一相当坚硬表面的研磨微粒以修整该研磨 垫表面之步骤,其中该微粒具有一平均最邻近距离 小于约4倍的微粒平均大小及该微粒尺寸是小于50 微米。 8.依申请专利范围第7项之修整一树脂填充纤维研 磨垫的方法,其中该微粒具有一平均尺寸是小于约 30微米。 9.依申请专利范围第7项之修整一树脂填充纤维研 磨垫的方法,其中该微粒具有一平均尺寸是小于约 15微米。 10.依申请专利范围第7项之修整一树脂填充纤维研 磨垫的方法,其中该微粒具有一尺寸是于大约1微 米到小于50微米范围。 11.一种研磨垫修整器,用以修整该化学机械平坦化 (CMP)研磨垫的该研磨表面,该修整器包括一修整器 主体,一戴具及固定于一戴具的研磨微粒,该戴具 结合该修整器主体俾以提供具有该微粒的一修整 表面,及该微粒具有一砂大于或等于大约400。 12.依申请专利范围第11项之研磨垫修整器,其中该 微粒由钻石,碳化矽,氧化铝,硼氮化物和氧化锆的 至少其一所组成。 13.依申请专利范围第11项之研磨垫修整器,其中该 微粒包含钻石。 14.一种研磨垫修整器,用于化学机械平坦化研磨垫 或/和研磨垫,该修整器包括固定于一戴具的研磨 微粒,该微粒具有一尺寸小于50微米及该微粒具有 一平均最邻近距离是小于约4倍的微粒大小。 15.依申请专利范围第14项之研磨垫修整器,其中该 微粒具有一平均最邻近距离是小于约3倍的微粒大 小。 16.依申请专利范围第14项之研磨垫修整器,其中该 微粒具有一平均最邻近距离是小于约2倍的微粒大 小。 17.一种修整一研磨垫之装置,用于化学机械平坦化 和/或研磨一基板,该装置包括: 一研磨垫修整器包含一研磨表面其能产生该最小 表面粗造度于一研磨微粒大小的该研磨垫表面,该 研磨微粒小于50微米大小;及 一研磨垫支架以支撑该研磨垫,该研磨垫修整器及 研磨垫支架被组合俾以允许该研磨垫修整器修整 该研磨垫。 18.依申请专利范围第17项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫支架包含一转盘。 19.依申请专利范围第17项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫修整器包含研磨微粒是介于1微米到 50微米大小。 20.依申请专利范围第17项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫修整器包含研磨微粒是小于约30微 米大小。 21.依申请专利范围第17项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫修整器包含研磨微粒是小于约15微 米大小。 22.依申请专利范围第17项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫修整器包含固定于一戴具的研磨微 粒。 23.依申请专利范围第22项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫修整器包含研磨微粒,该研磨微粒挑 选从由碳化矽微粒,氧化铝微粒,和氧化锆微粒组 成的组合。 24.依申请专利范围第22项之修整一研磨垫之装置, 其中该研磨垫修整器包含固定于一戴具的钻石微 粒。 25.一种修整一研磨垫方法,用于化学机械平坦化和 /或研磨一基板,该方法包括于该研磨垫产生一表 面的步骤,该研磨垫具有一表面粗造度小于该最小 表面粗造度,使用研磨微粒小于50微米大小可达成 该最小表面粗造度。 26.一种修整一树脂填充纤维研磨垫的方法,用于化 学机械平坦化和/或研磨一基板,该方法包括以具 有一平均尺寸小于2倍的该纤维平均直径的微粒以 研磨该研磨垫表面的该步骤。 27.依申请专利范围第20项之修整一树脂填充纤维 研磨垫的方法,其中该微粒具有一平均尺寸小于1 倍的该纤维平均直径。 图式简单说明: 第1图:本发明一具体实施例的图示; 第2图:本发明一具体实施例的图示; 第3图:本发明一具体实施例的图示; 第4图:本发明一具体实施例的图示; |
