| 主权项 |
1.一种矽氧烷聚合物,其系自以下制成: (a)会强烈吸低于约365 nm波长之光之苯基烷氧基矽 烷;及 (b)至少一种具良好离去基之矽烷。 2.如申请专利范围第1项之矽氧烷聚合物,尚包含(c) 至少一种具有不同于(b)之烷氧基之矽烷。 3.如申请专利范围第1项之矽氧烷聚合物,其中该苯 基烷氧基矽烷会强烈吸低于约200 nm波长之光。 4.如申请专利范围第2项之矽氧烷聚合物组合物,其 中该(b)及(c)系自以下所选出: 三乙氧基矽烷、四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽 烷、二甲基二乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、甲基 三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基 矽烷、苯基三甲氧基矽烷、三氯矽烷、甲基三氯 矽烷、乙基三氯矽烷、四氯矽烷、氯三乙氧基矽 烷、氯三甲氧基矽烷、氯甲基三乙氧基矽烷、氯 乙基三乙氧基矽烷、氯甲基三甲氧基矽烷及氯乙 基三甲氧基矽烷。 5.一种溶液,其包含如申请专利范围第1项之矽氧烷 聚合物及溶剂或溶剂混合物。 6.如申请专利范围第5项之溶液,其中溶液为介于该 旋涂式玻璃组合物之约0.5与约20重量%之间。 7.一种薄膜,其包含如申请专利范围第5项之溶液。 8.一种牺牲材料(sacrificial material),其包含如申请专 利范围第5项之溶液。 9.一种积体电路元件,其包含如申请专利范围第7项 之薄膜。 10.一种矽氧烷聚合物家族,其包含自以下制成之矽 氧烷聚合物: (a)强烈吸收化合物; (b)至少一种具有良好离去基之矽烷;及 (c)至少一种具有不同于(b)之良好离去基之之矽烷; 其中该矽氧烷聚合物家族具有凹/凸面状关系,或 就该(a)与该(b)与该(c)之比及该矽氧烷聚合物之k値 而言位于由凹/凸面状关系所包围之区域内。 11.如申请专利范围第10项之矽氧烷聚合物家族,其 中该矽氧烷聚合物家族具有凹/凸面状关系或就该 (a)与该(b)与该(c)之比及该矽氧烷聚合物之蚀刻速 率而言位于由凹/凸面状关系所包围之区域内。 12.如申请专利范围第11项之矽氧烷聚合物族,其中 该矽氧烷聚合物家族具有凹/凸面状关系或就该(a) 与该(b)与该(c)之比及该矽氧烷聚合物之折射率而 言位于由凹/凸面状关系所包围之区域内。 13.如申请专利范围第10项之矽氧烷聚合物族,其中 该(a)之重量比为约22至约100;该(b)之重量比为约9至 约98及该(c)之重量比为约61至约162。 14.如申请专利范围第10项之矽氧烷聚合物家族,其 中该(a)之重量比为约12至约60;该(b)之重量比为约22 至约168及该(c)之重量比为约22至约160。 15.如申请专利范围第10项之矽氧烷聚合物家族,其 中该(c)会强烈吸收低于约365 nm波长之光。 16.如申请专利范围第15项之矽氧烷聚合物族,其中 该(c)包含9-葱羧基-烷基二或三烷氧基矽烷,其中烷 基具1至4个碳原子及烷氧基具1至4个碳原子;9-葱羧 基-烷基二或三卤矽烷,其中烷基具1至4个碳原子; 葱黄酸;9-葱羧酸;9-葱甲醇;9-葱乙醇;9-葱丙醇;9-葱 丁醇;茜素;茜;樱草灵;2-羟基-4-(3-三乙氧基甲矽 烷基丙氧基)-二苯基酮;2-羟基-4-(3-三甲氧基甲矽 烷基丙氧基)-二苯基酮;2-羟基-4-(3-三丁氧基甲矽 烷基丙氧基)-二苯基酮;2-羟基-4-(3-三丙氧基甲矽 烷基丙氧基)-二苯基酮;玫红酸;三乙氧基甲矽烷基 丙基-1,8-醯胺;三甲氧基甲矽烷基丙基-1,8-醯 胺;三丙氧基甲矽烷基丙基-1,8-醯胺;9-葱羧基-甲 基三乙氧基矽烷;9-葱羧基-乙基三乙氧基矽烷;9-葱 羧基-丁基三乙氧基矽烷;9-葱羧基-丙基三乙氧基 矽烷;9-葱羧基-甲基三甲氧基矽烷;9-葱羧基-乙基 三丁氧基矽烷;9-葱羧基-甲基三丙氧基矽烷;9-葱羧 基-丙基三甲氧基矽烷;苯基三乙氧基矽烷;苯基三 甲氧基矽烷;苯基三丙氧基矽烷;4-苯基偶氮酚;4-乙 氧基苯基偶氮苯-4-羧基-甲基三乙氧基矽烷;4-甲氧 基苯基偶氮苯-4-羧基-乙基三乙氧基矽烷;4-乙氧基 苯基偶氮苯-4-羧基-丙基 三乙氧基矽烷;4-丁氧基苯基偶氮苯-4-羧基-丙基三 乙氧基矽烷;4-甲氧基苯基偶氮苯-4-羧基-甲基三乙 氧基矽烷;4-乙氧基苯基偶氮苯-4-羧基-甲基三乙氧 基矽烷;4-甲氧基苯基偶氮苯-4-羧基-乙基三乙氧基 矽烷;4-甲氧基苯基偶氮苯-4-羧基-丙基三乙氧基矽 烷;及其混合物。 17.如申请专利范围第10项之矽氧烷聚合物族,其尚 包含(d)至少一种pH微调剂。 18.一种溶液,其包含如申请专利范围第10项之矽氧 烷聚合物族及溶剂或溶剂混合物。 19.如申请专利范围第18项之溶液,其中溶液为介于 该矽氧烷聚合物族之约0.5与约20重量%之间。 20.一种旋涂式材料,其包含如申请专利范围第18项 之溶液。 21.一种薄膜,其包含如申请专利范围第20项之旋涂 式材料。 22.一种牺牲材料,其包含如申请专利范围第10顶之 矽氧烷聚合物家族。 23.一种积体电路元件,其包含如申请专利范围第21 项之薄膜。 24.一种获得具有微调光学性质及最大蚀刻速率之 旋涂式玻璃组合物之方法,其包含以下步骤: (a)使用包含自以下制成之矽氧烷聚合物之矽氧烷 聚合物家族: (i) 强烈吸收化合物; (ii) 至少一种具有良好离去基之矽烷;及 (iii) 至少一种具有与(ii)不同之良好离去基之矽烷 ,其中该矽氧烷聚合物家族具有凹/凸面关系或就 该(i)与该(ii)与该(111)之比及该矽氧烷聚合物之k値 而言位于由凹/凸面状关系所包围之区域内; (b)选择k位;及 (c)选择使该矽氧烷聚合物之另一种性质最适化之 该(i)与该(ii)与该(iii)之比。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中该步骤(c)可 使蚀刻速率最适化。 图式简单说明: 图1系消光系数k値与组合物中强烈吸收化合物存 在量之间预期之直线关系之图表。 图2a至图2f显示根据本发明之具体例,融入旋涂式 玻璃组合物之吸收化合物之化学式。 图3a至图3h显示根据本发明之具体例,旋涂式玻璃 组合物在光微影术方法中作为抗反射涂层之使用 。 图4显示本发明矽氧烷聚合物家族(吸收193 nm)在消 光系数k与起始矽烷比率之间存在凹/凸状面关系 。 图5显示本发明矽氧烷聚合物家族(吸收193 nm)在蚀 刻速率与起始矽烷比率之间存在凹/凸状面关系。 图6显示本发明矽氧烷聚合物族(吸收193 nm)在折射 率与起始矽烷比率之间存在凹/凸状面关系。 图7显示本发明矽氧烷聚合物族(吸收248 nm)在消光 系数k与起始矽烷比率之间存在凹/凸状面关系。 图8显示本发明矽氧烷聚合物族(吸收248 nm)在折射 率与起始矽烷比率之间存在凹/凸状面关系。 |
