发明名称 驱动器封装、使用该封装之直流/直流转换器与电子装置及驱动方法
摘要 本发明的驱动器封装包括一积体电路(IC),其包括可闭合一相关开关的上拉电路和可断开该相关开关的下拉电路。该上拉电路可耦合到该IC的一第一焊垫,该下拉电路可耦合到该IC的一第二焊垫。该驱动器封装进一步包括一第一导通路径,其耦合在该第一焊垫与该驱动器封装之一封装接脚之间,该封装接脚系耦合到该相关开关,以及一第二导通路径,其耦合在该第二焊垫与该封装接脚之间。该第一导通路径进一步将一代表该相关开关状态的感测信号提供给先断后通控制电路,以最小化先断后通之延迟时间间隔。
申请公布号 TWI260855 申请公布日期 2006.08.21
申请号 TW094122610 申请日期 2005.07.04
申请人 凹凸科技股份有限公司 发明人 利普赛依 拉兹洛;庞贝斯库 萧邦-米哈依
分类号 H02M3/10;H01L23/28 主分类号 H02M3/10
代理机构 代理人 王嗣荣 台北市信义区基隆路2段149之49号6楼之12
主权项 1.一种驱动器封装,包括: 一积体电路,包括: 一上拉电路,耦合于该积体电路之一第一焊垫,可 闭合一开关;及 一下拉电路,耦合于该积体电路之一第二焊垫,可 断开该开关; 一第一导通路径,耦合于该第一焊垫与该驱动器封 装之一封装接脚之间,且该开关耦合于该封装接脚 ;及 一第二导通路径,其耦合在该第二焊垫与该封装接 脚之间。 2.如申请专利范围第1项之驱动器封装,其中该积体 电路进一步包括一预驱动电路,透过该第一导通路 径控制该上拉电路,及透过该第二导通路径控制该 下拉电路。 3.如申请专利范围第1项或第2项之驱动器封装,其 中该积体电路进一步包括一先断后通控制电路,且 其中在一第一时间间隔期间; 该第一导通路径可将代表该开关之状态之一感测 信号自该封装接脚提供至该先断后通控制电路;且 该第二导通路径可将一驱动信号自该下拉装置提 供至该封装接脚。 4.如申请专利范围第3项之驱动器封装,其中由该感 测信号引起之跨越该第一导通路径上之一第一压 降系低于由该驱动信号引起之跨越该第二导通路 径上之一第二压降,且其中该第一导通路径包括一 第一焊线,该第二导通路径包括一第二焊线。 5.如申请专利范围第1项之驱动器封装,其中该上拉 装置包括一P型金属氧化物半导体场效电晶体,且 该下拉装置包括一N型金属氧化物半导体场效电晶 体。 6.如申请专利范围第1项之驱动器封装,其中该开关 系为一金属氧化物半导体场效电晶体。 7.一种DC/DC转换器,其包括: 一控制器,提供一控制信号; 一开关;及 一驱动器封装,具有耦合到该开关之一封装接脚, 并可接收该控制信号以提供一驱动信号至该开关, 该驱动器封装包括: 一积体电路,包括; 一上拉电路,耦合于该积体电路之一第一焊垫,可 闭合该开关;及 一下拉电路,耦合于该积体电路之一第二焊垫,可 断开该开关; 一第一导通路径,耦合于该第一焊垫与该封装接脚 之间;及 一第二导通路径,耦合于该第二焊垫与该封装接脚 之间。 8.如申请专利范围第7项之DC/DC转换器,其中该积体 电路进一步包括一预驱动电路,透过该第一导通路 径控制该上拉电路,及透过该第二导通路径控制该 下拉电路。 9.如申请专利范围第7项或第8项之DC/DC转换器,其中 该积体电路进一步包括一先断后通控制电路,且其 中在一第一时间间隔期间: 该第一导通路径可将代表该相关开关之状态之一 感测信号,自该封装接脚提供至该先断后通控制电 路;且 该第二导通路径可将一驱动信号,自该下拉装置提 供至该封装接脚。 10.如申请专利范围第9项之DC/DC转换器,其中由该感 测信号引起之跨越该第一导通路径上之一第一压 降系低于由该驱动信号引起之跨越该第二导通路 径上之一第二压降,且其中该第一导通路径包括一 第一焊线且该第二导通路径包括一第二焊线。 11.如申请专利范围第7项之DC/DC转换器,其中该上拉 装置包括一P型金属氧化物半导体场效电晶体,且 该下拉装置包括一N型金属氧化物半导体场效电晶 体。 12.如申请专利范围第7项之DC/DC转换器,其中该开关 系为一金属氧化物半导体场效电晶体。 13.一种电子装置,包括: 一DC/DC转换器,接收一输入功率信号并提供一输出 功率信号之,该DC/DC转换器包括: 一控制器,提供一控制信号; 一开关;及 一驱动器封装,具有耦合到该开关之一封装接脚, 并可接收该控制信号以提供一驱动信号至该开关, 该驱动器封装包括; 一积体电路,包括: 一上拉电路,耦合于该积体电路之一第一焊垫,可 闭合该开关;及 一下拉电路,耦合于该积体电路之一第二焊垫,可 断开该开关; 一第一导通路径,其耦合在该第一焊垫与该封装接 脚之间;及 一第二导通路径,其耦合在该第二焊垫与该封装接 脚之间。 14.如申请专利范围第13项之电子装置,其中该积体 电路进一步包括一预驱动电路,透过该第一导通路 径控制该上拉电路,及透过该第二导通路径控制该 下拉电路。 15.如申请专利范围第13项或第14项之电子装置,其 中该积体电路进一步包括一先断后通控制电路,且 其中在一第一时间间隔期间: 该第一导通路径可将代表该相关开关之状态之一 感测信号,自该封装接脚提供至该先断后通控制电 路;且 该第二导通路径可将一驱动信号,自该下拉装置提 供至该封装接脚。 16.如申请专利范围第15项之电子装置,其中由该感 测信号引起之跨越该第一导通路径上之一第一压 降系低于由该驱动信号引起之跨越该第二导通路 径上之一第二压降,且其中该第一导通路径包括一 第一焊线且该第二导通路径包括一第二焊线。 17.如申请专利范围第13项之电子装置,其中该上拉 装置包括一P型金属氧化物半导体场效电晶体,且 该下拉装置包括一N型金属氧化物半导体场效电晶 体。 18.如申请专利范围第13项之电子装置,其中该开关 系为一金属氧化物半导体场效电晶体。 19.一种驱动方法,包括: 在一第一时间间隔期间,经由一第一导通路径,对 一代表一DC/DC转换器之一开关之开关状态感测信 号取样,以判断该开关状态;及 在该第一时间间隔期间,经由一第二导通路径提供 一驱动信号,以驱动该开关。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中该第一导通 路径将该积体电路之一第一焊垫耦合至一驱动器 封装之一封装接脚,且其中该第二导通路径将该积 体电路之一第二焊垫耦合至该封装接脚。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中由该感测信 号引起之跨越该第一导通路径上之一第一压降系 低于由该驱动信号引起之跨越该第二导通路径上 之一第二压降,且其中该第一导通路径包括一第一 焊线且该第二导通路径包括一第二焊线。 22.如申请专利范围第19项之方法,其中该驱动信号 可切换耦合到该封装接脚之开关之状态。 23.如申请专利范围第19项之方法,其中该感测信号 系提供至一先断后通控制电路。 图式简单说明: 图1为根据本发明之具有一DC/DC转换器及一驱动器 封装之电子装置方块图; 图2为根据本发明之DC/DC转换器一实施例方块图; 图3为根据本发明之驱动器封装所提供的驱动信号 之时序图; 图4为根据本发明之驱动器封装一实施例之方块图 ;以及 图5为根据本发明之驱动器封装另一实施例之电路 图。
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